[发明专利]基于飞秒激光技术的Cu/石墨烯剥离方法有效
| 申请号： | 201510359627.0 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN105036118B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;付兴铭;刘亦杰;郑怀;沈沁宇 | 申请（专利权）人： | 武汉大学;武汉飞恩微电子有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/19 | 分类号： | C01B32/19 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 激光 技术 cu 石墨 剥离 方法 | ||
1.一种基于飞秒激光技术的Cu/石墨烯剥离方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)在铜箔上生长石墨烯；
(2)将透明目标衬底键合在步骤(1)制备的石墨烯上，形成透明目标衬底/石墨烯/Cu；
(3)采用飞秒激光从透明目标衬底上表面的一边进行扫描辐照，去除铜箔，即得石墨烯/透明目标衬底。
2.根据权利要求1所述一种基于飞秒激光技术的Cu/石墨烯剥离方法，其特征在于：还包括如下步骤：对步骤(3)制备的石墨烯/透明目标衬底进行清洗处理。
3.根据权利要求1或2所述一种基于飞秒激光技术的Cu/石墨烯剥离方法，其特征在于：所述铜箔的厚度为10-200um量级。
4.根据权利要求1或2所述一种基于飞秒激光技术的Cu/石墨烯剥离方法，其特征在于：所述生长石墨烯的方法为化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积。
5.根据权利要求4所述一种基于飞秒激光技术的Cu/石墨烯剥离方法，其特征在于：所述石墨烯的层数为单层。
6.根据权利要求4所述一种基于飞秒激光技术的Cu/石墨烯剥离方法，其特征在于：所述石墨烯的层数不少于2层。
7.根据权利要求1或2或5或6所述一种基于飞秒激光技术的Cu/石墨烯剥离方法，其特征在于：所述的键合为粘接键合或直接键合。
8.根据权利要求1或2或5或6所述一种基于飞秒激光技术的Cu/石墨烯剥离方法，其特征在于：所述透明目标衬底的材料为PMMA、SiN、SiO2、石英玻璃或GaN。
9.根据权利要求1或2或5或6所述一种基于飞秒激光技术的Cu/石墨烯剥离方法，其特征在于：所述飞秒激光辐照时聚焦在铜箔与石墨烯之间的界面层。
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