[发明专利]一种超低衰减单模光纤有效
| 申请号： | 201510359529.7 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104880766B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 张磊;龙胜亚;朱继红;吴俊;王瑞春 | 申请（专利权）人： | 长飞光纤光缆股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/036 | 分类号： | G02B6/036 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 胡建平 |
| 地址： | 430073 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 衰减 单模 光纤 | ||
1.一种超低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述芯层的半径R1为3.8～4.5μm，芯层相对折射率差Δ1为-0.05％～0.12％，芯层外从内向外依次包覆内包层，第一下陷内包层，中间内包层，第二下陷内包层，辅助外包层和外包层，所述的光纤的内包层半径R2为8～15μm，相对折射率差Δ2为-0.35％～-0.15％，所述第一下陷内包层的半径R3为13～20μm，相对折射率差Δ3为-0.8％～-0.35％，中间内包层半径R4为16～23μm，相对折射率差Δ4为-0.45％～-0.15％；第二下陷内包层半径R5为20～30μm，相对折射率差Δ5为-0.6％～-0.25％；所述辅助外包层的半径R6为35～50μm，相对折射率差Δ6范围为-0.45％～-0.15％；所述外包层为纯二氧化硅玻璃层。
2.按权利要求1所述的超低衰减单模光纤，其特征在于光纤的芯层为锗和氟共掺的二氧化硅玻璃层，或为掺锗的二氧化硅玻璃层，其中芯层中锗的掺杂的相对折射率贡献量ΔGe为0.02％～0.10％。
3.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于中间内包层半径大于第一下陷内包层半径，且R4-R3≥1.5μm。
4.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤在1310nm波长的模场直径为8.7-9.6μm。
5.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤的成缆截止波长等于或小于1260nm。
6.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤的零色散点在1300-1324nm范围内。
7.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1550nm处的色散等于或小于18ps/nm*km。
8.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1310nm处的衰耗等于或小于0.310dB/km；在波长1550nm处的衰耗等于或小于0.180dB/km。
9.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1550nm处，R15mm弯曲半径弯曲10圈的宏弯损耗等于或小于0.25dB，R10mm弯曲半径弯曲1圈的宏弯损耗等于或小于0.75dB。
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