[发明专利]S波段动中通双频圆极化微带天线及其阵列在审
| 申请号： | 201510357040.6 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104993245A | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 邱景辉;张鹏宇 | 申请（专利权）人： | 常州吉赫射频电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01Q13/08 | 分类号： | H01Q13/08;H01Q1/38;H01Q21/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213000 江苏省常州市武进*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波段 动中通 双频 极化 微带 天线 及其 阵列 | ||
1.一种S波段动中通双频圆极化微带天线，其特征在于：包括三层PTFE板和单层PTFE板，所述三层PTFE板的顶层设置有辐射金属片，所述三层PTFE板的中间层设置有金属地板，所述三层PTFE板的底层设置有微带馈线，所述三层PTFE板上设置有金属过孔，所述微带馈线和辐射金属片通过金属过孔电气连接，所述单层PTFE板的顶层设置有寄生金属片，所述辐射金属片和寄生金属片的中心轴重合，所述三层PTFE板和单层PTFE板之间利用尼龙柱销支撑。
2. 根据权利要求1所述的一种S波段动中通双频圆极化微带天线，其特征在于：所述金属地板上对应金属过孔中心轴位置开孔，所述开孔的孔径大于金属过孔孔径。
3. 根据权利要求1所述的一种S波段动中通双频圆极化微带天线，其特征在于：所述辐射金属片和寄生金属片可以为圆形或方形金属片，其几何参数有如下两种：
（1）、金属片为圆形：辐射金属片半径R1=29mm，寄生金属片半径R2=28.5mm；
（2）、金属片为方形：辐射金属片边长a1=47.2mm，寄生金属片边长a2=45.2mm。
4.根据权利要求1所述的一种S波段动中通双频圆极化微带天线，其特征在于：所述三层PTFE板中设置有介质基板，所述介质基板的介电常数均为2.2，所述辐射金属片与金属地板间设置有介质基板，所述介质基板的厚度为3.175mm，所述金属底板与微带馈线之间设置有介质基板，所述介质基板的厚度为0.508mm，所述单层PTFE板中设置有介质基板，所述介质基板的介电常数为2.2，厚度为3.175mm。
5.根据权利要求1所述的一种S波段动中通双频圆极化微带天线，其特征在于：所述金属过孔的半径为0.8mm，所述开孔的半径为1.2mm。
6. 一种S波段动中通双频圆极化微带天线阵列，其特征在于：包括三层PTFE板和单层PTFE板，所述三层PTFE板的顶层设置有8个辐射金属片，所述三层PTFE板的中间层设置有金属地板，所述三层PTFE板的底层设置有馈电网络，所述单层PTFE板上设置有金属过孔，所述微带馈线和辐射金属片通过金属过孔电气连接，所述单层PTFE板的顶层设置有8个寄生金属片，所述辐射金属片和寄生金属片的中心轴分别重合，所述三层PTFE板和单层PTFE板之间利用尼龙柱销支撑，其特征在于所述的动中通双频圆极化微带天线是如权利要求1、权利要求2、权利要求3、权利要求4和权利要求5。
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