[发明专利]基于吡唑环的配位聚合物及其制备方法

权利要求书

1.一种基于吡唑环的配位聚合物，其特征在于：该配位聚合物具有如下分子式(C₁₆H₁₈N₄)CuX，其中，C₁₆H₁₈N₄为1,3-二-[4'-(3',5'-二甲基)-吡唑]苯；X为卤素原子，当X为Cl 时：该配位聚合物为正交晶系，Pnma空间群，晶胞参数为a=6.1833(5) Å，b=12.9240(7)Å，c=19.8705(12) Å，α=β=γ= 90º，V=1587.91(18) ų；当X为Br时：该配位聚合物为单斜晶系，C2/c空间群，晶胞参数为a=19.3696(10) Å，b=8.4097(5) Å，c=21.2820(13) Å，α=γ=90º，β=108.422(6) º， V=3289.0(4) ų；当X为I时：该配位聚合物为单斜晶系，C2/c空间群，晶胞参数为a=19.4979(9) Å，b=8.4846(4) Å，c=21.8343(11) Å，α=γ= 90º，β=109.524(5) º， V=3404.4(3) Å。

2.权利要求1所述的基于吡唑环的配位聚合物的制备方法，其特征在于：将吡唑环配体和铜盐加入至溶剂当中，在室温下搅拌形成混合液，然后缓慢升温至溶剂热条件下反应，反应后降至室温得到所述的基于吡唑环的配位聚合物。

3.根据权利要求2所述的基于吡唑环的配位聚合物的制备方法，其特征在于：所述溶剂热的反应温度为100~140℃。

4.根据权利要求2所述的基于吡唑环的配位聚合物的制备方法，其特征在于：所述反应的反应时间为24~100小时。

5.根据权利要求2所述的基于吡唑环的配位聚合物的制备方法，其特征在于：所述的升温为2℃/小时~5℃/小时升至反应温度。

6.根据权利要求2所述的基于吡唑环的配位聚合物的制备方法，其特征在于：所述吡唑配体和铜盐的摩尔比为1:1.5~4。

7.根据权利要求2所述的基于吡唑环的配位聚合物的制备方法，其特征在于：所述溶剂为乙腈、乙醇和水的至少一种。

8.根据权利要求2所述的基于吡唑环的配位聚合物的制备方法，其特征在于：所述吡唑环配体为1,3-二-[4'-(3',5'-二甲基)-吡唑]苯。

9.根据权利要求2所述的基于吡唑环的配位聚合物的制备方法，其特征在于：所述铜盐为CuCl₂、CuBr₂、CuI中的一种。