[发明专利]自举电路

权利要求书

1.一种自举电路，所述自举电路包括：

N沟道MOS晶体管和限流部件，所述N沟道MOS晶体管包括：

第一N型半导体层，所述第一N型半导体层形成在P型半导体基板的一表面上并且电连接至一自举电容器；

P型半导体层，所述P型半导体层形成在所述第一N型半导体层的一表面上；

第二N型半导体层，所述第二N型半导体层形成在所述P型半导体层的一表面上；

第一电极，所述第一电极电连接至所述P型半导体层；

第二电极，所述第二电极电连接至所述第二N型半导体层；以及

电源端子，所述电源端子连接至所述第一电极和所述第二电极中的每一个，以向其提供电源电压，

所述N沟道MOS晶体管向所述自举电容器供电，

所述限流部件连接在所述电源端子与所述第一电极之间。

2.根据权利要求1所述的自举电路，所述自举电路还包括

电路部件，所述电路部件并联连接至所述电源端子与所述第一电极之间的所述限流部件，

其中，所述电路部件是可以使电流朝着所述电源端子流动的部件，该电流原本应该从所述第一N型半导体层经由所述P型半导体层流向所述第一电极，并且所述电路部件使得抑制从所述电源端子提供的电流流向所述第一电极。

3.根据权利要求2所述的自举电路，

其中，所述电路部件是具有连接至所述第一电极的阳极和连接至所述电源端子的阴极的二极管。

4.根据权利要求2所述的自举电路，

其中，所述电路部件是栅极电压受控的晶体管。

5.根据权利要求1所述的自举电路，

其中，所述限流部件是电阻器部件，

其中，所述电阻器部件的电阻值被设置成使得抑制寄生晶体管因电流从所述第一N型半导体层经由所述P型半导体层流向所述第一电极而成为二次击穿状态，所述寄生晶体管由所述第二N型半导体层、所述P型半导体层以及所述第一N型半导体层的NPN结形成。

6.根据权利要求1所述的自举电路，

其中，所述限流部件是电阻器部件，

其中，所述电阻器部件的电阻值被设置成使得抑制寄生晶体管因电流从所述第一N型半导体层经由所述P型半导体层流向所述第一电极而接通，所述寄生晶体管由所述第二N型半导体层、所述P型半导体层以及所述第一N型半导体层的NPN结形成。

7.根据权利要求1所述的自举电路，

其中，所述限流部件是具有连接至所述电源端子的漏极，和连接至所述第一电极的源极和栅极的JFET。