[发明专利]MEMS器件以及制造MEMS器件的方法有效
| 申请号： | 201510351246.8 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN105228076B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | J·玛索内 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R31/00 | 分类号： | H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;董典红 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 器件 以及 制造 方法 | ||
1.一种MEMS器件，包括：
支撑，具有贯穿其中的空腔；以及
隔膜，被布置在所述支撑上，使得所述隔膜在所述支撑的所述空腔上方延伸，
其中所述隔膜至少部分地由石墨烯加固，
其中所述隔膜被布置在所述支撑与所述石墨烯之间，以及
其中所述隔膜在所述空腔上方是可位移的。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述隔膜包括与石墨烯不同的材料。
3.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述隔膜包括多晶硅或由多晶硅组成。
4.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述隔膜的悬空区域由石墨烯加固。
5.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述隔膜由石墨烯层加固，以及其中所述石墨烯层至少部分地覆盖所述隔膜。
6.根据权利要求5所述的MEMS器件，其中所述石墨烯层为单层石墨烯或多层石墨烯。
7.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述支撑为电介质间隔物。
8.根据权利要求1所述的MEMS器件，进一步包括导电的背板单元，其中所述支撑被布置在所述背板单元上。
9.根据权利要求8所述的MEMS器件，进一步包括被布置为与所述导电的背板单元相接触的第一电极以及被布置为与所述隔膜相接触的第二电极。
10.根据权利要求8所述的MEMS器件，进一步包括衬底，其中所述导电的背板单元被布置为在所述衬底上方延伸。
11.根据权利要求8所述的MEMS器件，其中所述导电的背板单元包括外围区域和穿孔区域，所述穿孔区域包括多个导电穿孔背板部分，其中所述支撑被布置在所述背板单元的所述外围区域上。
12.根据权利要求11所述的MEMS器件，进一步包括具有贯穿其中的空腔的衬底，其中所述导电的背板单元被布置为使得所述多个导电穿孔背板部分在所述衬底的所述空腔上方延伸。
13.根据权利要求12所述的MEMS器件，其中所述隔膜被布置在所述衬底和所述导电的背板单元之间。
14.根据权利要求12所述的MEMS器件，其中所述导电的背板单元被布置在所述衬底和所述隔膜之间。
15.根据权利要求11所述的MEMS器件，进一步包括另一导电的背板单元，所述另一导电的背板单元包括多个穿孔背板部分，并且被布置为使得所述隔膜被夹在所述导电的背板单元和所述另一导电的背板单元之间。
16.一种用于制造MEMS器件的方法，所述方法包括：
提供支撑，所述支撑具有贯穿其中的空腔；
在所述支撑上提供隔膜，使得所述隔膜在所述支撑的所述空腔上方延伸，其中所述隔膜在所述空腔上方是可位移的；以及
由石墨烯至少部分地对所述隔膜进行加固，其中所述隔膜被布置在所述支撑与所述石墨烯之间。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述由石墨烯至少部分地对所述隔膜进行加固包括：在所述隔膜上沉积石墨烯层，使得所述隔膜至少部分地由所述石墨烯层覆盖。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述由石墨烯至少部分地对所述隔膜进行加固包括：加固至少所述隔膜的悬空区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510351246.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
