[发明专利]一种二极型磁选态单束铯束管束光学结构的建立方法有效

专利信息
申请号: 201510350521.4 申请日: 2015-06-23
公开(公告)号: CN105045959B 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 王骥;陈江;成大鹏;马寅光;朱宏伟;袁征难;黄良育;郑宁;高玮;张涤新;李得天;刘志栋 申请(专利权)人: 兰州空间技术物理研究所
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京理工大学专利中心11120 代理人: 李微微,仇蕾安
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 一种 二极 磁选 态单束铯束 管束 光学 结构 建立 方法
【权利要求书】:

1.一种二极型磁选态单束铯束管束光学结构的建立方法,所述束光学结构包括准直器、A磁铁、微波腔、B磁铁和离化丝,铯原子束流从准直器发出,经过A磁铁、微波腔和B磁铁,最后被离化丝收集;其特征在于,不考虑A磁铁和B磁铁的狭缝以及铯炉加热温度,建立所述束光学结构,具体步骤如下:

步骤1、确定所述束光学结构的输入条件,具体为:

1)、确定束光学结构中各部件在X轴方向距离,即准直器、微波腔、B磁铁和离化丝在X轴方向上距离Y轴的距离:Xs、Xm、Xb和Xc;其中,以A磁铁的开孔的法线方向为X轴,Y轴方向为从A磁铁的凸极头指向凹极头的方向,且Y轴在A磁铁的入口端面内;

2)、选定束光学结构中铯原子速度Vs

3)、束光学结构中各部件物性参数和结构参数,包括准直器的偏角αs,准直器的宽度Ws,A磁铁和B磁铁的二线场半长a、宽度b和磁铁长度Lx以及磁场强度H0,微波腔的束孔宽度Wm和长度Lm,离化丝的宽度Wc

步骤2、令铯原子束从准直器中心垂直射出的铯原子到达A磁铁端面时集中在Y轴向上距离X轴1.2a的点上,得到准直器在Y轴上的相对位置Ys

Ys=1.2a-Xs tanαs(1)

步骤3、沿着准直器偏角αs,在准直器出口中间位置射出选中速度为Vs的铯原子,根据步骤1获得的A磁铁的物性参数和结构参数,结合线性方程组式(2)得到该铯原子在A磁铁内的运动轨迹;

dy1dt=y2dy2dt=μeffm-4a2H0(y12+a2)2y1---(2)]]>

其中t表示时间,y1为铯原子Y轴向位置坐标,y2为铯原子Y轴向速度分量,m为铯原子质量,μeff根据式(3)计算;

μeff=ϵ+F/41+ϵF/2+ϵ2μ0---(3)]]>

其中F为铯原子的子能级,根据具体束光学设计选择3或4;μ0是玻尔磁子,为9.274e-24,ε=H0/0.3268,是铯原子的磁场系数;

再根据获得的铯原子运动轨迹,确定铯原子在A磁铁出口处的Y轴坐标Yma、Y轴向速度分量vyma和速度方向角αma

步骤4、令铯原子束在微波腔入口、出口处的轨迹均通过微波腔束孔中心,则微波腔夹角αm等于铯原子在A磁铁出口处的速度方向角,即:

αm=αma(4)

令铯原子从A磁铁出射后对准微波腔的束孔中心,即得到微波腔入口相对位置Ym

Ym=Yma+vymaVscosαs(Xm+Lmcosαm-Lx)-Lmsinαm---(5)]]>

步骤5、令铯原子束从微波腔射出的铯原子到达B磁铁端面时集中在Y轴向上距离X轴1.2a的点上,则得到B磁铁相对Y轴的位置Yb

Yb=Yma+vymaVscosαs(Xb-Lx)-1.2a---(6)]]>

步骤6、计算跃迁后铯原子在B磁铁内的运动轨迹,即跃迁铯原子初始位置为1.2a时求解线性方程组式(2);根据获得的铯原子运动轨迹,获得跃迁铯原子在B磁铁出口处的Y轴坐标Ymb和Y轴向速度分量vymb

步骤7、令选中的单一速度铯原子束到达离化丝表面宽度中心,由此根据式(7)获得离化丝入口中心坐标Yc

Yc=Ymb+vymbVscosαs(Xc-Xb-Lx)---(7)]]>

步骤8、根据步骤1-7得到的准直器在Y轴上的相对位置Ys,微波腔夹角αm和微波腔入口相对位置Ym,B磁铁相对Y轴的位置Yb以及离化丝入口中心坐标Yc,建立二极型磁选态单束铯束管束光学结构。

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