[发明专利]一种在石墨烯矩阵上原位生长氧化铜纳米颗粒的方法

权利要求书

1.一种在石墨烯矩阵上原位生长氧化铜纳米颗粒的方法，其特征在于，包含以下步骤：

（1）将干燥后的氧化石墨在290~305℃的空气中加热3~5分钟，随后在850~950℃的氩气中处理3~4小时，制得石墨烯纳米片；

（2）将三水合硝酸铜溶于乙醇溶液中，搅拌至完全溶解，配制质量浓度为4~10%的硝酸铜乙醇溶液；

（3）将石墨烯纳米片加入硝酸铜乙醇溶液中，石墨烯纳米片与硝酸铜乙醇溶液按质量比0.5~2:100混合，磁力搅拌10~20分钟，混合均匀；

（4）将步骤（3）制得的混合溶液置于23~28℃环境中，搅拌5~10小时，使得乙醇自然挥发；

（5）经步骤（4）处理后的溶液置于烘箱中，在195~205℃条件下处理9~11小时，即可在石墨烯矩阵上原位生长氧化铜纳米颗粒。

2.根据权利要求1所述一种在石墨烯矩阵上原位生长氧化铜纳米颗粒的方法，其特征在于，步骤（1）中将干燥后的氧化石墨在300℃的空气中加热3分钟，随后在900℃的氩气中处理3小时，制得石墨烯纳米片。

3.根据权利要求1所述一种在石墨烯矩阵上原位生长氧化铜纳米颗粒的方法，其特征在于，步骤（2）中将三水合硝酸铜溶于乙醇溶液中，搅拌至完全溶解，配制质量浓度为7%的硝酸铜乙醇溶液。

4.根据权利要求1所述一种在石墨烯矩阵上原位生长氧化铜纳米颗粒的方法，其特征在于，步骤（3）中将石墨烯纳米片加入硝酸铜乙醇溶液中，石墨烯纳米片与硝酸铜乙醇溶液按质量比2:100混合，磁力搅拌16分钟，混合均匀。

5.根据权利要求1所述一种在石墨烯矩阵上原位生长氧化铜纳米颗粒的方法，其特征在于，步骤（4）中将步骤（3）制得的混合溶液置于25℃环境中，搅拌8小时，使得乙醇自然挥发。

6.根据权利要求1所述一种在石墨烯矩阵上原位生长氧化铜纳米颗粒的方法，其特征在于，步骤（5）中经步骤（4）处理后的溶液置于烘箱中，在200℃条件下处理10小时，即可在石墨烯矩阵上原位生长氧化铜纳米颗粒。