[发明专利]具有多聚氨基酸复合氧化铟锡纳米结构的宽光谱光探测器

权利要求书

1.一种具有多聚氨基酸复合氧化铟锡纳米结构的宽光谱光探测器，其包括：

基底；

氧化铟锡薄膜，设于所述基底的表面；

氧化铟锡纳米结构，设于所述氧化铟锡薄膜的表面；

两个电极，分别置于氧化铟锡薄膜两端；

多聚氨基酸薄膜，与所述氧化铟锡纳米结构接触。

2.根据权利要求1所述的宽光谱光探测器，其中，所述基底的材料为硅、二氧化硅或者玻璃。

3.根据权利要求1所述的宽光谱光探测器，其中，所述氧化铟锡纳米结构为氧化铟锡纳米线和/或氧化铟锡纳米颗粒。

4.根据权利要求3所述的宽光谱光探测器，其中，所述氧化铟锡纳米线垂直或者平行于所述基底的表面。

5.根据权利要求3所述的宽光谱光探测器，其中，所述氧化铟锡纳米结构是通过脉冲激光沉积法、磁控溅射法或物理气相沉积法直接生长的，或者，将水热法或模板法生长的氧化铟锡纳米线烧结在所述氧化铟锡薄膜上。

6.根据权利要求1所述的宽光谱光探测器，其中，所述多聚氨基酸薄膜的材料为精氨酸、组氨酸、天冬氨酸或者谷氨酸。

7.根据权利要求1所述的宽光谱光探测器，其中，所述电极的材料为金、银、铂、铟和铝中的一种或几种的组合。

8.根据权利要求1所述的宽光谱光探测器，其中，所述电极是采用真空镀膜法、磁控溅射法或激光沉积法制备的金薄膜、银薄膜或铝薄膜。

9.根据权利要求1所述的宽光谱光探测器，其中，所述基底为透明基底。

10.权利要求1-9任一项所述的宽光谱光探测器的制备方法，其包括以下步骤：

通过脉冲激光沉积法、磁控溅射法或物理气相沉积法在基底表面形成氧化铟锡薄膜；

通过脉冲激光沉积法、磁控溅射法或物理气相沉积法在氧化铟锡薄膜的表面直接生长得到氧化铟锡纳米结构，或者，将水热法或模板法生长的氧化铟锡纳米线烧结在所述氧化铟锡薄膜上；

将电极焊接在氧化铟锡薄膜两端；

将纯度为95-99.99％的多聚氨基酸溶于水制成浓度为0.1wt％-20wt％的溶液，滴加在氧化铟锡薄膜的表面，然后蒸发干燥形成多聚氨基酸薄膜，使得氨基酸的膜层厚度为5-1000纳米，得到所述宽光谱光探测器。