[发明专利]真空共晶焊的芯片定位夹具、制造方法及芯片转运方法

权利要求书

1.一种真空共晶焊的芯片定位夹具，其特征在于，包括：衬底、支撑台阶以及限位台阶，其中：

所述衬底上设置有吸附孔，用于吸附所述芯片；

所述支撑台阶位于所述衬底的表面区域，用于支撑所述芯片；

所述限位台阶位于所述支撑台阶的背离所述衬底的表面区域，用于限制所述芯片的运动；

所述支撑台阶包括第一部分和第二部分，其中：

所述第一部分为围绕所述衬底四周的第一边框；

所述第二部分为位于所述第一部分内的孤岛，所述孤岛的厚度与所述第一边框的厚度一致；

所述限位台阶为围绕所述衬底四周的第二边框，所述第二边框的厚度与所述芯片的厚度一致；

所述第二边框的外边框与所述第一边框的外边框对齐，所述第二边框的内边框与所述芯片的尺寸一致。

2.根据权利要求1所述的芯片定位夹具，其特征在于，所述衬底为陶瓷衬底。

3.根据权利要求1所述的芯片定位夹具，其特征在于，所述吸附孔位于所述衬底的中心位置。

4.根据权利要求1所述的芯片定位夹具，其特征在于，所述衬底的厚度为0.2mm-1mm。

5.根据权利要求1至4任一项所述的一种真空共晶焊的芯片定位夹具的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S71：在衬底表面形成支撑台阶；

S72：在支撑台阶上形成限位台阶；

S73：在衬底的中心位置加工出吸附孔。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S71进一步包括：

S711：在衬底表面溅射一层铜种子层；

S712：在铜种子层表面通过SU8胶光刻形成支撑台阶的掩膜；

S713：在铜种子层表面电铸形成支撑台阶。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S72进一步包括：

S721：在支撑台阶表面通过LC100胶光刻形成限位台阶的掩膜；

S722：腐蚀铜种子层；

S723：在支撑台阶的凹槽区域填充SU8胶，并光刻形成限位台阶的图形

S724：在支撑台阶表面电铸形成限位台阶。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S73进一步为：在衬底的中心位置通过激光加工出吸附孔。

9.根据权利要求1至4任一项所述的一种真空共晶焊的芯片转运方法，其特征在于，包括以下步骤：

S111：吸头吸住芯片定位夹具；

S112：吸头通过吸附孔将芯片吸附在芯片定位夹具的限位台阶中；在本步骤中，限位台阶位于支撑台阶的背离衬底的表面区域，用于限制所述芯片的运动，支撑台阶位于衬底的表面区域，用于支撑所述芯片；

S113：将芯片移动到封装盒中的合适位置；

S114：拆除吸头，安装压力杆。