[发明专利]创建对称FIB沉积的方法和系统

权利要求书

1.一种使用聚焦离子射束形成具有均匀沉积的TEM样本薄片的方法，包括：

以大于偏离表面法向30度的角度将聚焦离子射束引导朝向工件表面，带电粒子具有10keV或更小的着陆能量；

在所述带电粒子射束的撞击点处提供碳前驱气体，在存在所述离子射束时，所述碳前驱气体分解以将碳沉积到所述工件上；以及

将聚焦离子射束引导朝向所述工件上的沉积的材料以将材料从感兴趣的区域的两侧移除，从而保留包含感兴趣区域的薄的薄片，所述沉积的碳在形成期间保护所述薄的薄片。

2.根据权利要求1的方法，其中将聚焦离子射束引导朝向工件表面包括在沿着射束到工件上的法向投影的方向上扫描所述聚焦离子射束。

3.根据权利要求1或2的方法，其中在所述带电粒子射束的撞击点处提供前驱气体包括提供金属有机化合物。

4.根据权利要求1或2的方法，其中将聚焦离子射束引导朝向工件表面包括以大于偏离表面法向40度的入射角将聚焦离子射束引导朝向工件表面，所述射束中的离子具有8keV或更小的着陆能量。

5.根据权利要求1或2的方法，其中将聚焦离子射束引导朝向工件表面包括以偏离表面法向45度+/-5度的入射角将聚焦离子射束引导朝向工件表面，所述射束中的离子具有3keV和7keV之间的着陆能量。

6.一种离子射束诱导沉积的方法，包括：

以大于偏离表面法向30度的角度将离子射束引导朝向工件表面，所述射束中的离子具有10keV或更小的着陆能量；以及

在所述离子射束的撞击点处提供前驱气体，在存在所述离子射束时，所述前驱气体分解以将材料沉积到所述工件上。

7.根据权利要求6的方法，其中将离子射束引导朝向工件表面包括主要在沿着离子射束到工件上的法向投影的方向上扫描所述离子射束。

8.根据权利要求6或7的方法，其中在所述离子射束的撞击点处提供前驱气体包括提供不包含金属并在存在所述离子射束时将碳沉积到所述工件表面上的前驱气体。

9.根据权利要求6或7的方法，其中在所述离子射束的撞击点处提供前驱气体包括提供金属有机化合物。

10.根据权利要求6或7的方法，其中将离子射束引导朝向工件表面包括以大于偏离表面法向40度的入射角将离子引导朝向工件表面，所述离子具有8keV或更小的着陆能量。

11.根据权利要求6或7的方法，其中将离子射束引导朝向工件表面包括以偏离表面法向45度+/-5度的入射角将离子射束引导朝向工件表面，所述离子具有3keV和7keV之间的着陆能量。

12.根据权利要求6或7的方法，其中将离子射束引导朝向工件表面包括将聚焦的离子射束引导至所述工件表面的上面或下面。

13.一种用于处理工件的带电粒子射束系统，包括：

取向为偏离垂直方向至少30度的离子射束镜筒；

取向为偏离垂直方向至少30度的电子射束镜筒；

气体注入系统，其用于引导前驱气体被所述离子射束或电子射束分解；

样本载台，所述样本载台能够在至少两个维度上移动并能够围绕垂直轴旋转，但是不能倾斜；

控制器，其用于根据所存储的指令控制所述带电粒子射束系统的操作；以及

存储器，其用于存储用于执行权利要求1的方法的计算机指令。

14.根据权利要求13的设备，其中所述离子射束镜筒取向为偏离垂直方向至少45度加或减10%。

15.根据权利要求13或14的设备，其中离子射束镜筒包括液体金属离子源。

16.根据权利要求13或14的设备，其中离子射束镜筒包括等离子体离子源。