[发明专利]MEMS开关装置、阵列基板及其制作方法和显示装置有效
申请号: | 201510346535.9 | 申请日: | 2015-06-19 |
公开(公告)号: | CN104865760B | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 李会;崔贤植;林允植 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/133 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 开关 装置 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种MEMS开关装置,其特征在于,包括光阀元件和开关元件,其中:
所述光阀元件包括:垂直于光透射方向的第一感应电极;平行于光透射方向的第二感应电极;覆盖于所述第一感应电极和第二感应电极,并将所述第一感应电极和第二感应电极绝缘隔离的绝缘层;位于所述第一感应电极和第二感应电极交汇处的锚定部;与所述锚定部连接的移动光栅,所述移动光栅可在与第二感应电极具有夹角时反射环境光或前置光源发出的光;
当系统电路通过所述开关元件对所述光阀元件施加电场电压时,所述光阀元件工作于透射模式、反射模式或半透半反模式。
2.如权利要求1所述的MEMS开关装置,其特征在于,所述锚定部为枢轴,所述移动光栅与所述枢轴枢接;或者,所述锚定部为弹簧,所述移动光栅与所述弹簧的一端固定连接。
3.如权利要求1所述的MEMS开关装置,其特征在于,所述开关元件包括分别对应第一感应电极和第二感应电极所设置的两个薄膜晶体管。
4.如权利要求1~3任一项所述的MEMS开关装置,其特征在于,所述第一感应电极的材质为透明导电金属或透明导电非金属,所述第二感应电极和移动光栅的材质为不透明导电金属或不透明导电非金属。
5.一种MEMS阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板,以及位于衬底基板之上且呈阵列排布的多个如权利要求1~4任一项所述的MEMS开关装置。
6.一种显示装置,其特征在于,包括背光装置和位于所述背光装置前侧的如权利要求5所述的MEMS阵列基板,以及位于所述MEMS阵列基板前侧的彩膜基板。
7.一种制作如权利要求5所述MEMS阵列基板的方法,其特征在于,包括在衬底基板之上制作光阀元件和开关元件,其中,所述在衬底基板之上制作光阀元件包括如下步骤:
在衬底基板之上形成垂直于光透射方向的第一感应电极;
在第一感应电极的图层之上形成第一绝缘层;
在第一绝缘层之上形成平行于光透射方向的第二感应电极;
在第二感应电极的图层之上形成第二绝缘层;
在第一感应电极和第二感应电极的交汇处装配锚定部;
在第二绝缘层之上形成与锚定部连接的移动光栅。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述第一感应电极的材质为透明导电金属或透明导电非金属,所述第二感应电极和移动光栅的材质为不透明导电金属或不透明导电非金属。
9.一种权利要求1~4任一项所述MEMS开关装置的驱动方法,其特征在于,包括:
向第二感应电极施加第一偏置电压,向移动光栅施加接地电压或与第一偏置电压极性相反的第二偏置电压,使所述光阀元件工作于透射模式;或者
向第一感应电极施加第一偏置电压,向移动光栅施加接地电压或与第一偏置电压极性相反的第二偏置电压,使所述光阀元件工作于反射模式;或者
向第一感应电极或第二感应电极施加第三偏置电压,向移动光栅施加接地电压或与第三偏置电压极性相反的第二偏置电压,使所述光阀元件工作于半透半反模式,所述第三偏置电压小于所述第一偏置电压。
10.如权利要求9所述的驱动方法,其特征在于,所述第一偏置电压为5V,所述第三偏置电压为2V。
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