[发明专利]具有不同的局部单元几何形状的半导体切换器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，包括外轮缘、限定有源区域的多个可切换单元以及布置在限定所述有源区域的所述可切换单元和所述外轮缘之间的边缘终止区，其中所述可切换单元中的每一个包括主体区、栅电极结构和源极区；

与所述可切换单元的所述源极区欧姆接触的源极金属化；以及

与所述可切换单元的所述栅电极结构欧姆接触的栅极金属化；

其中由所述可切换单元限定的所述有源区域包括具有与第二可切换区的栅极-漏极比电容不同的栅极-漏极比电容的至少第一可切换区；以及

其中在所述第一可切换区和所述第二可切换区中的所述可切换单元的栅极-漏极比电容随着所述可切换单元与所述栅极金属化之间的距离增加而减小。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二可切换区被布置在所述栅极金属化和所述第一可切换区之间，其中所述第二可切换区比所述第一可切换区具有更高的栅极-漏极比电容。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中在所述第一可切换区和第二可切换区中的可切换单元的所述栅极-漏极比电容从紧接于所述栅极金属化布置的所述第二可切换区到布置在进一步远离所述栅极金属化的所述有源区域的中心区中的所述第一可切换区逐步降低。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极金属化包括从由栅极滑道结构、栅极焊盘、栅极环、栅极指状物及其任何组合组成的组选择的导电结构。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个可切换单元包括从由MOSFET、MISFET、IGBT、SJFET及其任何组合组成的组选择的至少一个晶体管。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中布置得更接近于所述栅极金属化的可切换单元的所述栅电极结构具有与布置得进一步远离所述栅极金属化的可切换单元的所述栅电极结构的单元布局不同的单元布局。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中每一个可切换单元具有由所述可切换单元的所述栅电极结构的区域与所述可切换单元的总区域之比限定的特定覆盖率，其中布置得更接近于所述栅极金属化的可切换单元的所述特定覆盖率大于布置得进一步远离所述栅极金属化的可切换单元的所述特定覆盖率。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅电极结构包括高掺杂多晶硅。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极金属化包括金属。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极金属化包括金属合金。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极金属化包括金属层堆叠。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极金属化比所述栅电极结构具有更高的比电导率。

13.如权利要求1所述的半导体器件，其中由所述可切换单元限定的所述有源区域包括具有与所述第一可切换区的所述栅极-漏极比电容和所述第二可切换区的所述栅极-漏极比电容不同的栅极-漏极比电容的第三可切换区。