[发明专利]IPS型On Cell触控显示面板及其制作方法

权利要求书

1.一种IPS型On Cell触控显示面板，其特征在于，包括阵列彩膜基板(1)、与所述阵列彩膜基板(1)相对设置的上基板(3)、夹设于所述阵列彩膜基板(1)与上基板(3)之间的液晶层(5)、及设于所述上基板(3)远离液晶层(5)一侧的触控电极(7)；

所述阵列彩膜基板(1)设置有TFT(T)、像素电极(18)、梳状公共电极(20)、与彩膜光阻(17)，集成了TFT阵列与彩膜滤光的功能；

所述上基板(3)仅包括上衬底基板(31)、及设于所述上衬底基板(31)靠近液晶层(5)一侧表面上的上配向膜(33)；

所述触控电极(7)设于该上衬底基板(3)远离液晶层(5)一侧的表面上，所述触控电极(7)经过高温退火处理；

在阵列彩膜基板(1)与上基板(3)对组及液晶层(5)形成之前进行触控电极(7)的高温退火处理。

2.如权利要求1所述的IPS型On Cell触控显示面板，其特征在于，所述阵列彩膜基板(1)具体包括下衬底基板(11)、设于所述下衬底基板(11)上的栅极(121)与扫描线(122)、设于栅极(121)、扫描线(122)与下衬底基板(11)上的栅极绝缘层(13)、于所述栅极(121)上方设于栅极绝缘层(13)上的岛状半导体层(14)、设于所述栅极绝缘层(13)上分别接触岛状半导体层(14)两侧的源\漏极(151)、设于所述栅极绝缘层(13)上的数据线(152)、设于所述源\漏极(151)、数据线(152)与栅极绝缘层(13)上的绝缘保护层(16)、设于绝缘保护层(16)上的彩膜光阻(17)、设于所述彩膜光阻(17)上并接触部分源\漏极(151)的像素电极(18)、设于所述像素电极(18)与彩膜光阻(17)上的绝缘层(19)、于所述绝缘层(19)上与像素电极(18)相对设置的梳状公共电极(20)、设于所述绝缘层(19)上的黑色矩阵(21)、设于所述黑色矩阵(21)上的光阻间隔物(22)、以及覆盖所述绝缘层(19)、公共电极(20)、黑色矩阵(21)、与光阻间隔物(22)的下配向膜(23)；

所述栅极(121)、岛状半导体层(14)、及源\漏极(151)构成TFT(T)。

3.如权利要求1所述的IPS型On Cell触控显示面板，其特征在于，所述触控电极(7)的材料为ITO。

4.如权利要求1所述的IPS型On Cell触控显示面板，其特征在于，所述像素电极(18)与公共电极(20)的材料为ITO。

5.如权利要求2所述的IPS型On Cell触控显示面板，其特征在于，所述上衬底基板(31)与下衬底基板(11)均为玻璃基板。

6.一种IPS型On Cell触控显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供上衬底基板(31)，在所述上衬底基板(31)的一侧表面上涂布配向液，形成上配向膜(33)，完成上基板(3)的制作；

步骤2、在所述上衬底基板(31)与配向膜(33)相对的另一侧表面上制作触控电极(7)，并对所述触控电极(7)进行高温退火处理，以降低触控电极(7)的电阻；

步骤3、提供阵列彩膜基板(1)，所述阵列彩膜基板(1)设置有TFT(T)、像素电极(18)、梳状公共电极(20)、与彩膜光阻(17)，集成了TFT阵列与彩膜滤光的功能；

步骤4、将阵列彩膜基板(1)与上基板(3)对组，使所述上配向膜(33)朝向阵列彩膜基板(1)，向阵列彩膜基板(1)与上基板(3)之间灌入液晶，形成液晶层(5)。

7.如权利要求6所述的IPS型On Cell触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2还包括在对所述触控电极(7)进行高温退火处理后，涂布一层覆盖所述触控电极(7)的有机保护膜；

所述步骤4还包括去除所述有机保护膜。

8.如权利要求7所述的IPS型On Cell触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述有机保护膜的材料为聚酰亚胺或光刻胶，厚度为3～5μm。