[发明专利]一种烧结钕铁硼永磁体的制备方法

权利要求书

1.一种烧结钕铁硼永磁体的制备方法，包括以下步骤：熔炼；破碎；制粉；压制成型；烧结及时效处理；其特征在于，所述熔炼步骤中，分别熔炼主相合金（RE1，RE2，PrNd）-（Fe，M）-B，富PrNd的液相合金（RE1，RE2，PrNd）-（Fe，M）-B和富LaCe相的液相合金（RE1，RE2，PrNd）-（Fe，M）-B，所述合金相中的RE1为La和Ce，所述RE2为Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的一种或多种，所述M为Co、Al、Cu、Ga、Nb、Gr、Mg、Ti中的一种或多种。

2.如权利要求1所述的一种烧结钕铁硼永磁体的制备方法，其特征在于，所述熔炼步骤中，主相中各组分的质量百分比可以表述为（RE1_a1，RE2_b1，PrNd_1-a1-b1）_x1-（Fe_1-c1，M_c1）_y1-B_z1，所述富PrNd相中各组分的质量百分比可以表述为（RE1_a2，RE2_b2，PrNd_1-a2-b2）_x2-（Fe_1-c2，M_c2）_y2-B_z2，所述富LaCe相中各组分的质量百分比可以表述为（RE1_a3，RE2_b3，PrNd_1-a3-b3）_x3-（Fe_1-c3，M_c3）_y3-B_z3，

其中10wt.%≤a1≤40wt.%，2wt.%≤a2≤10wt.%，20wt.%≤a3≤50wt.%，2wt.%≤b1=b2=b3≤10wt.%，1wt.%≤c1=c2=c3≤8wt.%，20wt.%≤x1≤40wt.%，40wt.%≤x2=x3≤70wt.%，60wt.%≤y1≤80wt.%，30wt.%≤y2=y3≤60wt.%，0.8wt.%≤z1=z2=z3≤1.2wt.%，

其中主相、富PrNd相、富镧铈相之间的质量百分比依次为75%～95%、2.5%～20%、1%～12.5%。

3.如权利要求1所述的一种烧结钕铁硼永磁体的制备方法，其特征在于，所述制粉和压制成型步骤之间还包括掺杂Cu-Co纳米粉步骤，该步骤向磁粉中掺入质量百分比为0.2%～2%的Cu-Co纳米粉。

4.如权利要求3所述的一种低失重钕铁硼永磁体的制备方法，其特征在于，所述掺杂Cu-Co纳米粉步骤中的Cu在纳米粉中的原子百分比30%～60%。

5.如权利要求1所述的一种烧结钕铁硼永磁体的制备方法，其特征在于，所述熔炼步骤中，熔炼温度为1300℃～1500℃，熔炼保温时间为30min～60min，熔炼炉内为0.03Mpa～0.06Mpa的氩气环境。

6.如权利要求1所述的一种烧结钕铁硼永磁体的制备方法，其特征在于，所述破碎步骤采用氢破碎方法；所述制粉步骤采用气流磨制微粉，在制粉过程中添加有防氧化剂和润滑剂，防氧化剂为烷烃类长链条有机物，所述润滑剂为硬脂酸锌，防氧化剂和润滑剂的添加量均在200ppm～1000ppm之间，获得磁粉的粒度为2μm～4μm。

7.如权利要求1所述的一种烧结钕铁硼永磁体的制备方法，其特征在于，所述压制成型步骤采用垂直压制压制成型和等静压压制致密的组合方式，取向磁场为2T～4T，成型压力10Mpa～50Mpa，等静压制的压力200Mpa～240Mpa，保压时间20s～120s。

8.如权利要求1所述的一种烧结钕铁硼永磁体的制备方法，其特征在于，所述烧结及时效处理步骤为：首先在400℃～500℃度保温30min～60min，然后在600℃～700℃范围内保温30min～60min，再升温到1020℃～1100℃范围内进行烧结，烧结温度下保温4～6h，控制炉内真空度低于10^-2Pa，烧结完成后在800℃～1000℃内进行2h～5h的一级时效处理，之后在400℃～550℃内进行2h～6h的二级时效处理。

9.如权利要求8所述的一种烧结钕铁硼永磁体的制备方法，其特征在于，所述烧结及时效处理步骤完成后，开启烧结炉内的风机，使烧结炉内冷却速度控制在10℃/min～20℃/min。