[发明专利]一种将三维存储器的三维比特数据转换成二维比特图的方法

说明书

技术领域

本发明涉及三维立体闪存存储器领域，尤其涉及一种将三维存储器的三维比特数据转换成二维比特图的方法。

背景技术

三维立体闪存存储器(例如3D NAND)是一种最前沿的闪存(flash)技术。这种flash将存储单元在Z方向堆叠，形成空间立体结构，是未来大数据flash发展的主要方向。在做flash特性或者失效分析的时候，需要定位到每一个比特所存储的数据，然后将存储的数据制作成平面的比特图(bitmap)。

比特图能够全面地提供整个阵列(array)的逻辑状态，并且能够直观地进行观察，是一种进行特性和失效分析非常有效的工具，在二维平面闪存有广泛的应用。但是对于三维立体闪存这种新技术，目前还没有相关的报道。对于平面flash来说，只要将比特之间的真实物理相匹配就可以了。但是对于三维闪存，物理位置是无法在一个平面内实现一一对应的。

发明内容

鉴于上述问题，本发明针对三维立体闪存存储器提出了一种新的bitmap生成方法。这种方法将三维立体闪存的比特按照一定的规则顺序，排列生成二维平面的比特图。所生成的二维平面的比特图，能够直观地观察整个阵列(array)的逻辑状态，定位失效比特的物理位置，对后续的分析有非常大的帮助。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：

一种将三维存储器的三维比特数据转换成二维比特图的方法，其特征在于，包括：

将原始三维比特数据从三维存储器的三维坐标系中的分布转换成二维坐标系中呈现为二维比特图的二维分布。

优选的，上述的方法，其中：

将所述三维存储器的原始三维比特数据定义为在X维度、Y维度、Z维度三个维度分布；

预定义原始三维比特数据在三维坐标系中的坐标为(Xi，Yi，Zi)，并将该原始三维比特数据转换成二维比特图上的二维分布，将生成的二维坐标定义为(Xi′，Yi′)；

按照转换规则，将三维比特坐标转换到二维比特坐标，以生成二维比特图。

优选的，上述的方法，其中，所述转换规则为：

Xi′＝Xi+Xi×(Zi－1)

Yi′＝Yi

其中，i的取值为大于等于1的自然数。

优选的，上述的方法，其中，所述三维存储器在X维度的比特总数为Nx。

优选的，上述的方法，其中，所述Xi的取值范围为0～Nx。

优选的，上述的方法，其中，所述三维存储器在Y维度的比特总数为Ny。

优选的，上述的方法，其中，所述Yi的取值范围为0～Ny。

优选的，上述的方法，其中，所述三维存储器在Z维度的比特总数为Nz。

优选的，上述的方法，其中，所述Zi的取值范围为0～Nz。

优选的，上述的方法，其中，所述Nz等于32或64。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：本发明针对三维立体闪存存储器提出了一种将三维比特数据转换成二维比特图的方法。这种方法将三维立体闪存存储器的比特按照一定的规则顺序，排列生成二维平面的比特图。所生成的二维平面的比特图，能够直观地观察整个阵列(array)的逻辑状态，定位失效比特的物理位置，对后续的分析有非常大的帮助。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。

图1是三维立体闪存存储器的比特图；

图2是实施例中三维立体闪存存储器的真实比特图；

图3是实施例中根据对应规则生成的二维比特示意图；

图4是实施例中三维立体闪存存储器的比特分布图。

具体实施方式

基于3D NAND中的一系列比特数据都是呈现为三维分布，当FLASH存储器中某一个或者几个比特数据发生失效等异常情况时，因为三维分布的比特数据不直观，而且任何一个比特数据的坐标系都由三个维度来确定，相对而二维坐标系中比特数据仅仅由两个维度的坐标来确定的方式，多了寻找异常比特数据地址的复杂程度。本发明的一个发明精神在于将三维空间的比特数据全部转换到一个二维坐标系上来直观的进行分析比对。