[发明专利]一种组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法及装置

权利要求书

1.一种组合式半导体热处理设备的硅片承载区扫描方法，其特征在于，在位于硅片承载器圆周侧边的移动单元上，设置两个光电传感器/超声波传感器；所述光电传感器/超声波传感器分别位于所述移动单元上相距一预设距离的位置，并随移动单元垂直和水平运动；图像传感单元固设于所述承载器侧周正对硅片支撑结构无遮挡的位置，其包括多个图像传感器，在一个水平面上布设形成多个扫描检测点；所述方法包括：

步骤S1、设定移动单元运动扫描初始化参数并执行初始化；其中，所述运动扫描初始化参数包括机械手水平和/或垂直扫描运动速度，硅片的间隔距离、每一次机械手水平步进距离、水平起始点位置及终止点位置和上/下垂直起始点位置及终止点位置；

步骤S2、所述两个光电传感器/超声波传感器设置在互接收模式和/或自接收模式，执行硅片凸片的异常状态预扫描和循环扫描指令；其中，预扫描指令用于识别硅片组中是否有硅片凸出和凸出最多的硅片，循环扫描指令用于在预扫描结果显示有硅片凸出时，识别整个硅片组中硅片的凸出异常状态分布；

步骤S3：预设所述承载器的运动速度，以及所述图像传感单元的坐标位置，并计算所述图像传感单元的坐标位置与基准位置的坐标差值；

步骤S4：所述图像传感单元根据所述承载器的移动速度和坐标差值，将随所述承载器移动至其坐标位置的第一个放置硅片的位置作为起始采集位置；沿硅片放置的平行方向拍摄所述硅片的侧边平面图像，并按指定时间间隔对准每一个硅片的放置位置，获取整个承载区域内硅片的侧边平面图像；

步骤S5：用图像特征识别算法，在图像标定位置区间分布区域，从每个所述侧边平面图像中提取识别对象的放置状态特征，判断相应硅片是否存在斜片、叠片和/或空片的异常状态；如果没有异常状态，执行步骤S7；否则，执行步骤S6；

步骤S6：报警并等待人工处置或者按规定处置；

步骤S7：结束。

2.根据权利要求1所述的扫描方法，其特征在于，所述两个光电传感器/超声波传感器设置在互接收模式，所述步骤S2具体包括如下步骤：

步骤S21：所述移动单元定位对应于所述承载器第一个放置硅片的垂直起始点和水平起始点位置；

步骤S22：根据两个所述光电传感器/超声波传感器间相互发射和接收光信号的反馈值接收时间随遮挡范围产生强度上的变化，判断相应位置的硅片是否存在凸片的异常状态；如果是，执行步骤S25；否则，执行步骤S23；

步骤S23：所述移动单元依序下降或上升一个硅片的间隔距离，先判断所述移动单元的位置是否是上/下垂直终止点位置；如果是，执行步骤S24；否则，执行步骤S22；

步骤S24：所述移动单元沿所述承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离，判断所述位置是否是水平终止点位置；如果是，执行步骤S3；否则，执行步骤S22；

步骤S25：发出凸片异常报警信息，继续执行步骤S23。