[发明专利]半导体封装以及半导体封装的制造方法有效
申请号: | 201510336842.9 | 申请日: | 2015-06-17 |
公开(公告)号: | CN105321812B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 黑须笃;横井哲哉 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体芯片 半导体封装 基框 半导体元件 表面活性化 表面连接 下表面 粘接 金属 制造 | ||
一种半导体封装,具有由金属构成并在表面上形成有多个槽的框、和与上述框的表面连接的半导体芯片。半导体元件具有半导体芯片、和被粘接到半导体芯片的下表面的由铜构成的基框。此外,半导体芯片和基框通过表面活性化法粘接。
相关申请的交叉引用
本申请主张2014年7月7日申请的日本专利申请号2014-139666的优先权,本申请中引用该日本专利申请的全内容。
技术领域
本发明一般来说涉及半导体封装以及半导体封装的制造方法。
背景技术
近年来,随着半导体元件的多功能化和动作速度的提高,有半导体元件的发热量增加的倾向。因此,在安装有此种半导体元件的布线基板上采取了用于将从半导体元件发生的热有效地散热的措置。
发明内容
本发明要解决的课题是提供一种通过有效地进行从半导体元件的散热、能够使半导体元件的动作可靠性提高的半导体封装以及半导体封装的制造方法。
一实施方式的半导体封装具有:由金属构成且在表面形成有多个槽的框、和与上述框的表面连接的半导体芯片。
别的实施方式的半导体封装的制造方法是半导体封装的制造方法,包括:使用表面活性化法而使硅基板粘接在形成有槽的金属板的表面上的工序;以及将硅基板与金属板一起切断而将半导体元件切出的工序。
根据上述构成的半导体封装以及半导体封装的制造方法,能够有效地进行从半导体元件的散热,能够使半导体元件的动作可靠性提高。
附图说明
图1是本实施方式的半导体封装的立体图。
图2是本实施方式的半导体封装的立体图。
图3是本实施方式的半导体封装的截面图。
图4是晶圆的平面图。
图5是铜板的平面图。
图6是用于说明晶圆和铜板的粘接工序的图。
图7是用于说明晶圆和铜板的粘接工序的图。
图8是表示形成在晶圆上的电路图案和形成在铜板上的槽的位置关系的图。
图9是用于说明半导体元件的切出工序的图。
图10是用于说明半导体元件的切出工序的图。
图11是用于说明半导体元件的切出工序的图。
图12是半导体元件的立体图。
图13是用于说明半导体元件的线接合工序的图。
图14是用于说明半导体元件的模制工序的图。
图15是用于说明半导体封装的引线端子生成工序的图。
具体实施方式
本实施方式的半导体封装具有框和半导体芯片。框由金属构成,在表面形成多个槽。半导体芯片与框的表面连接。
本实施方式的半导体封装的制造方法是半导体封装的制造方法,包括使用表面活性化法使硅基板粘接到形成有槽的金属板的表面上的工序、和将硅基板与金属板一起切断而将半导体元件切出的工序。
以下,使用附图来说明本发明的一实施方式。说明中,使用由相互正交的X轴、Y轴、Z轴构成的XYZ坐标系。
图1以及图2是表示本实施方式的半导体封装10的一例的立体图。半导体封装10是QFN(Quad For Non-Lead Package)型的半导体封装。该半导体封装10是一边为10mm左右的正方形,厚度是3mm左右。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510336842.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造