[发明专利]硅片及制造方法在审
| 申请号： | 201510335859.2 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105280491A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 李秦霖;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/322 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 制造 方法 | ||
1.一种硅片制造方法，其特征在于，用Czochralski法拉制氧浓度在5x1017atoms/cm3~1x1018atoms/cm3以内、氮浓度在5x1014atoms/cm3~2x1016atoms/cm3以内的单结晶晶棒；用此晶棒加工成硅片后，在700℃~1000℃升温区间处于氮气气氛中、在1000℃~1100℃升温区间里处于氮气和氩气混合气氛中、在1100℃~1150℃升温区间里处于氩气气氛中进行热处理，并在氩气气氛中在1150℃恒温热处理后降温至700℃以下得到硅片。
2.如权利要求1所述的硅片制造方法，其特征在于所述硅片的氧浓度为5x1017atoms/cm3~7x1017atoms/cm3。
3.如权利要求1所述的硅片制造方法，其特征在于在氩气气氛中进行2~10小时的恒温热处理。
4.如权利要求1所述的硅片制造方法，其特征在于在硅片热处理时，以5℃/min~15℃/min的升温速率从700℃升温至1000℃、以0.5℃/min~5℃/min的升温速率从1000℃升温至1100℃、以0.5℃/min~2℃/分从1100℃升温至1150℃。
5.如权利要求1至4中任一项所述的硅片制造方法，其特征在于硅片进行热处理时，在1000℃~1100℃升温区间里进行热处理时，将氮气和氩气的混合气体导入炉内，使炉内气氛为氮气和氩气的混合气氛。
6.如权利要求5所述的硅片制造方法，其特征在于所述的导入炉内的氮气和氩气的混合气体中，其氮气的质量分数为0.1%~2.0%。
7.一种如权利要求1~6中任一项所述的方法处理后的硅片，其特征在于，硅片的无缺陷层深度不小于7μm、翘曲量不大于4μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
