[发明专利]温度监视

权利要求书

1.一种装置，包括：

相变材料，所述相变材料具有显现出根据易腐烂物品暴露于其温度高于阈值温度的环境的时间而增大的变化的晶体结构；以及

电路，所述电路被配置并布置为通过提供对所述相变材料暴露于其温度高于阈值温度的环境的特性描述来对所述变化进行响应。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述相变材料适于在第一状态和第二状态中操作：

在第一状态中，呈现主要处于第一相的晶体结构，对应于所述晶体结构暴露于第一温度范围，并且

在第二状态中，呈现以下晶体结构：根据高于所述第一温度范围的第二温度范围，所述晶体结构的至少在第一状态中具有第一相的部分经历向第二相的相变。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述晶体结构呈现随着温度增长的晶体化速率，并且所述相变材料在所述第二状态中操作，在所述第二状态下，所述晶体结构的所述部分以与随时间变化的温度增长相对应的不同结晶化速率来经历相变。

4.根据前述任一项权利要求所述的装置，其中，所述电路与所述相变材料一起被配置和布置为：通过提供对已经从所述第一相变化为所述第二相的晶体结构量的指示，对所述相变材料暴露于高于所述阈值温度的温度的时间量进行特性描述。

5.根据前述任一项权利要求所述的装置，其中，所述电路与所述相变材料一起被配置和布置为：通过提供对已经从所述第一相变化为所述第二相的晶体结构量的指示，来对所述相变材料所暴露于的温度进行特性描述。

6.根据前述任一项权利要求所述的装置，其中，所述相变材料被配置和布置为：以随着温度提高而提高的结晶化速率从所述第一相向所述第二相转变。

7.根据前述任一项权利要求所述的装置，其中，所述晶体结构被配置和布置为：通过从所述第一相变为所述第二相来显现出变化，并且随后响应于施加在端子间的电压，经历所述第二相中的晶体结构向所述第一相中的晶体结构的变化，其中，重置所述相变材料以检测所述相变材料对温度的暴露。

8.根据前述任一项权利要求所述的装置，其中，所述电路被配置和布置为从无线信号中获取电能，并且使用所获取的电能来发送对所述相变材料暴露于其温度高于阈值温度的环境进行特性描述的无线信号。

9.根据前述任一项权利要求所述的装置，其中，所述相变材料包括集成电路“IC”中的硫族化合物材料，所述IC包括所述电路，所述IC还包括RFID电路，所述RFID电路被配置和布置为：

从无线信号中获取电能，并且

使用所获取的电能来发送对所述相变材料暴露于其温度高于阈值温度的环境进行特性描述的无线信号。

10.根据前述任一项权利要求所述的装置，还包括具有第一端子和第二端子的读出电路，所述第一端子和所述第二端子通过所述相变材料连接，并且被配置和布置为提供相对于在非晶体状态中的相变材料的电输出的、基于相变材料中的晶体结构量的电输出。

11.根据前述任一项权利要求所述的装置，其中，

所述相变材料包括呈现不同激活能量和结晶化温度的不同相变材料部分，

针对各个相变材料部分，所述电路包括通过所述相变材料部分连接的一对端子，以及

所述电路被配置和布置为：针对各个相变材料部分分别提供电输出，所述电输出基于响应于温度而显现出变化的部分的晶体结构量，其中，所述电输出对所述相变材料暴露于第二温度范围内的相应温度进行特性描述。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，不同相变材料部分呈现不同的结晶化温度，所述装置还包括读出电路，所述读出电路被配置和布置为：基于所述部分中的第一部分已经结晶而所述部分中的第二部分尚未结晶，来确定所述相变材料所暴露于的最大温度，其中，所确定的最大温度被识别为所述第一部分的结晶化温度与所述第二部分的结晶化温度之间的范围内的温度。