[发明专利]分立半导体晶体管有效
| 申请号： | 201510331757.3 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105280636B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | A.基普;H-J.舒尔策;S.维尔科费尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分立 半导体 晶体管 | ||
1.一种分立半导体晶体管，包括：
位于单个半导体本体中的晶体管单元，每个所述晶体管单元包括栅电极端子，第一负载端子和第二负载端子，其中所述晶体管单元的所述栅电极端子被电连接，所述晶体管单元的所述第一负载端子被电连接并且所述晶体管单元的所述第二负载端子被电连接；
栅极电阻器，电耦合在所述晶体管单元的栅极端子和所述栅电极端子之间；其中
在25℃的温度下的所述栅极电阻器的电阻R大于在150℃的温度下的电阻，且
其中所述栅极电阻器是多个栅极子电阻器的并联连接，每一个栅极子电阻器被电耦合到所述分立半导体晶体管的晶体管单元的不同组。
2.如权利要求1所述的分立半导体晶体管，其中所述电阻R的温度系数满足：
其中所述温度系数根据如下变动：-0.01 1/K < < -0.001 1/K。
3.如权利要求1所述的分立半导体晶体管，其中所述栅极电阻器的所述电阻R在Tj =25℃的晶体管温度下在从0.1Ω到100 Ω的范围内。
4.如权利要求1所述的分立半导体晶体管，其中所述分立半导体晶体管是功率晶体管，并且是绝缘栅双极晶体管、场效应晶体管和结场效应晶体管之一。
5.如权利要求1所述的分立半导体晶体管，其中所述栅极电阻器是结晶硅栅极电阻器。
6.如权利要求5所述的分立半导体晶体管，其中所述栅极电阻器的掺杂浓度包括至少50%深能级掺杂剂。
7.如权利要求6所述的分立半导体晶体管，其中所述深能级掺杂剂包括硒、硫、和铟中的至少一个。
8.如权利要求7所述的分立半导体晶体管，其中所述结晶硅栅极电阻器的导电类型是n型，且所述结晶硅栅极电阻器的n型掺杂浓度小于1018 cm-3。
9.如权利要求7所述的分立半导体晶体管，其中所述结晶硅栅极电阻器的导电类型是p型，且所述结晶硅栅极电阻器的p型掺杂浓度小于1016 cm-3。
10.如权利要求7所述的分立半导体晶体管，其中所述结晶硅栅极电阻器的导电类型是p型，且所述结晶硅栅极电阻器的p型掺杂浓度小于1013 cm-3。
11.如权利要求5所述的分立半导体晶体管，还包括隧道电介质作为结晶硅栅极电阻器的部分。
12.如权利要求1所述的分立半导体晶体管，其中所述栅极电阻器是负温度系数热敏电阻器。
13.如权利要求1所述的分立半导体晶体管，其中所述分立半导体晶体管的所述栅极电阻器和场停止区均包括硒掺杂剂。
14.如权利要求1所述的分立半导体晶体管，其中所述栅极子电阻器中的至少两个的电阻是不同的。
15.如权利要求1所述的分立半导体晶体管，还包括由深能级掺杂剂限定的场停止区。
16.一种半导体模块，包括多个互连的根据权利要求1的分立半导体晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
