[发明专利]一种对称结构的低失调垂直型霍尔器件有效
| 申请号： | 201510329120.0 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN104953024B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 徐跃;徐俊 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 对称 结构 失调 垂直 霍尔 器件 | ||
1.一种对称低失调的垂直型霍尔器件，其特征在于：所述器件结构包括N+区(1)、第一P+区(2)、n阱(3)、P型硅衬底(4)、浅沟槽隔离区(5)和第二P+区(6)；所述的P型硅衬底(4)上方形成2个对称分布的n阱(3)，每个n阱(3)顶部等距离形成3个N+区(1)，N+区1之间设有第一P+区(2)；2个n阱(3)之间设有浅沟槽隔离区(5)，n阱(3)外侧也设有浅沟槽隔离区(5)与外部隔离；第二P+区(6)位于P型硅衬底(4)的顶端最外侧，形成衬底接触。
2.根据权利要求1所述的一种对称低失调的垂直型霍尔器件，其特征在于：所述的2个n阱(3)位于P型硅衬底(4)上方，呈对称分布；2个n阱(3)中均有3个相同的N+区(1)，其中2个最外侧的N+区(1)互相连接，形成电极a，2个最内侧的N+区(1)互相连接，形成电极c；剩余两个N+区(1)分别形成电极b和电极d；在应用旋转电流法时，a，b，c，d四个电极互换；n阱(3)之间以及n阱(3)外侧设有浅沟槽隔离区(5)。
3.根据权利要求1所述的一种对称低失调的垂直型霍尔器件，其特征在于：所述的第一P+区(2)位于n阱顶部N+区(1)之间。
4.根据权利要求1所述的一种对称低失调的垂直型霍尔器件，其特征在于：所述器件的材料为硅材料或者砷化镓或者磷化铟或者砷化铟或者锑化铟。
5.根据权利要求1所述的一种对称低失调的垂直型霍尔器件，其特征在于：所述的2个n阱(3)之间设有浅沟槽隔离区(5)用于阱间隔离。
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