[发明专利]一种钠离子电池蛋黄‑蛋壳结构锑/碳负极复合材料的制备方法有效
申请号: | 201510328522.9 | 申请日: | 2015-06-15 |
公开(公告)号: | CN104900858B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 张治安;杨富华;付云;赖延清 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01M4/38 | 分类号: | H01M4/38;H01M4/583;H01M4/1393;H01M4/1395;H01M10/36 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所43114 | 代理人: | 魏娟 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钠离子 电池 蛋黄 蛋壳 结构 负极 复合材料 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种钠离子电池负极材料的制备方法,属于钠离子电池领域。
背景技术
随着可移动电子设备及电动汽车的快速发展,为其供应能源的二次电池受到来越多的关注。近些年来,钠离子电池引起了人们极大的兴趣。钠离子电池利用了地壳中储量丰富的钠资源,这使得钠离子电池的成本低廉,并可能取代锂离子电池,成为可大规模商业化应用的二次电池体系。然而,钠离子的半径要比锂离子大55%,这使得钠离子难以在电极材料中有效的嵌入脱出。一些可成功在锂离子电池中应用的材料,比如石墨,并不适合钠离子电池。研究开发储钠容量高的负极材料成为钠离子电池发展的关键。
在已被报道的钠离子负极材料体系当中,金属及合金类材料被认为是最具有前景的负极材料并得到了广泛关注。与其他材料相比,其具有高的理论比容量,但是该类电极材料在合金化/去合金化过程中产生巨大的体积变化,这使得电极材料极易粉化,造成容量衰减、循环不稳定等问题。最近,锑作为合金类负极材料的一种,也引起了人们的关注,锑具有较高的理论比容量(660mAh g-1),为了克服锑在钠离子电池的充放电过程中,面临着导电性低、体积膨胀及颗粒团聚等困难,制备纳米结构的锑/碳复合材料被认为是一种有效的方法。例如:锑/碳纤维复合材料(Journal of Power Sources,2015,284,227-235),锑/石墨烯复合材料(J.Mater.Chem.A,2014,2,10516-10525)等。这些复合材料很大程度上改善了锑负极的电化学性能,但并不能有效抑制锑在充放电过程中的体积膨胀问题。如若能设计出一种能够有效缓解锑的体积膨胀,同时又能改善锑导电性的纳米结构材料,将进一步推动锑在钠离子电池负极中的应用。
发明内容
针对现有技术中锑/碳复合负极材料存在的问题,本发明的目的是在于提出一种具有稳定的蛋黄-蛋壳结构,且可用于制备质量容量高、倍率性能好的钠离子电池的锑/碳负极复合材料的制备方法,该制备方法操作简单、成本低、适用于工业化规模化生产。
为了实现以上发明目的,本发明提供了一种钠离子电池蛋黄-蛋壳结构锑/碳负极复合材料的制备方法,该方法包括以下步骤:
步骤一:将硼氢化钠和氢氧化钠的混合溶液滴加到锑盐溶液中,在搅拌条件下进行还原反应,得到纳米锑颗粒;
步骤二:所得纳米锑颗粒通过超声分散在水、无水乙醇和氨水的混合溶液中,再向所述混合溶液中滴加正硅酸乙酯进行水解反应,得到锑@二氧化硅核壳结构产物;
步骤三:将锑@二氧化硅核壳结构产物通过超声分散在盐酸多巴胺溶液中后,向所述盐酸多巴胺溶液中滴加三羟甲氨基甲烷溶液调节其pH为碱性,搅拌,得到锑@二氧化硅@聚多巴胺复合颗粒;
步骤四:所得锑@二氧化硅@聚多巴胺复合颗粒置于炉中,在惰性气体或氮气保护下,升温至600~1000℃进行高温炭化,得到锑@二氧化硅@碳颗粒;
步骤五:将锑@二氧化硅@碳颗粒置于氢氟酸溶液中进行腐蚀,去除二氧化硅,得到蛋黄-蛋壳结构锑/碳复合材料。
本发明的技术方案通过在纳米锑颗粒表面依次包覆二氧化硅层和碳源层,再经过高温炭化,得到一种双包覆层的复合材料,再将中间层二氧化硅腐蚀除去,得到具有特殊蛋黄-蛋壳结构的锑/碳复合材料。该复合材料具有良好的热稳定性和机械性能,外层的碳能有效提高电极材料的电子导电性,特别是蛋黄和蛋壳结构之间具有一定的预留空间,能很好地缓冲纳米锑颗粒在充放电过程中的体积膨胀。有效地解决了现有技术中锑/碳复合材料存在锑在钠离子电池的充放电过程中,面临着导电性低、体积膨胀及颗粒团聚等问题。
本发明的钠离子电池蛋黄-蛋壳结构锑/碳负极复合材料的制备方法还包括以下优选方案:
优选的方案中还原反应是在60~100℃温度下反应1~2h。优选的方案中如果还原反应温度高于100℃时,温度越高制备的纳米锑颗粒越大,制备的蛋黄-蛋壳结构锑/碳负极复合材料内部自由空间越小,制备的负极用于钠离子电池电化学性能相对较差。
优选的方案中水解反应是在20~40℃温度下反应2~10h;
优选的方案中高温炭化是以2~5℃/min的升温速率升温至600~1000℃,恒温处理2~5h。
优选的方案中腐蚀是在浓度为1~5wt%的氢氟酸溶液中浸渍处理10~15h。在优选的腐蚀条件下能使二氧化硅层充分去除。
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