[发明专利]高温化学气相沉积设备及其加热系统有效
申请号: | 201510324880.2 | 申请日: | 2015-06-12 |
公开(公告)号: | CN104962881B | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 胡国新;胡强;冉军学;梁勇;段瑞飞;王军喜;李晋闽;曾一平 | 申请(专利权)人: | 北京中科优唯科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 100176 北京市北京经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 高温 化学 沉积 设备 及其 加热 系统 | ||
本发明公开了一种高温化学气相沉积设备及其加热系统,所述用于高温化学气相沉积设备的加热系统包括发热体,支撑在所述加热体下部的发热体支撑部件,与所述发热体支撑部件连接的陶瓷绝缘件,设置在所述陶瓷绝缘件上部的热辐射防护件,以及设置在所述陶瓷绝缘部件底部的隔热部件。本发明提供的用于高温化学气相沉积设备的加热系统,可以起到支撑、绝缘、辐射防护及保持温度的作用,特别是对高温化学气相沉积设备的有效使用起到了完好的防护作用。
技术领域
本发明涉及半导体设备制造技术领域,特别涉及一种高温化学气相沉积设备及其加热系统。
背景技术
用化学气相沉积(CVD)设备生长薄膜材料,是将不同的气体或元素的氢化物共同通入反应室,混合气体流经加热的衬底表面时发生一系列化学反应,并外延生长成化合物单晶薄膜。
反应室是整个CVD设备最核心的部分,决定了整个设备的性能。而反应室加热系统是影响薄膜沉积质量的重要因素,有些高质量的薄膜材料需要在高温下生长才能获得,如氮化铝和碳化硅薄膜材料,二者外延生长温度都在1300℃以上。由于高温CVD设备的加热系统有其特殊性,所以对高温CVD设备的加热系统设计要求更为苛刻,特别是部件的耐温性能,可靠性能都要进一步提高,近乎达到各种材料的极限,对材料的选择及防护有更高的要求。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够有效保护加热系统的高温化学气相沉积设备及其加热系统。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种高温化学气相沉积设备的加热系统,包括发热体,以及:
发热体支撑件,所述发热体支撑件的一端支撑连接于所述发热体的下部;
陶瓷绝缘件,所述陶瓷绝缘件与所述发热支撑件的另一端连接;所述陶瓷绝缘件包括端部和侧部;
热辐射防护件,所述热辐射防护件设置于所述发热体和所述陶瓷绝缘件之间,由对高温的耐受能力大于陶瓷的材料制成;所述热辐射防护件包括第一防护部和第二防护部;所述第一防护部设置于所述发热体与所述陶瓷绝缘件的端部之间,所述第二防护部设置在所述发热体与所述陶瓷绝缘件的侧部之间。
进一步地,所述热辐射防护件的第一防护部设置在所述陶瓷绝缘件的端部上,所述第二防护部沿着所述第一防护部的外侧向周围延伸预定的距离。
进一步地,所述热辐射防护件的第一防护部设置在所述陶瓷绝缘部件的端部上,所述第二防护部从所述陶瓷绝缘部件的端部外侧向下延伸预定的距离。
进一步地,所述热辐射防护件的第一防护部设置在所述陶瓷绝缘部件的端部上,所述第一防护部与所述陶瓷绝缘件相对的面上设置有凸起。
进一步地,所述凸起由环状或条状的金属形成。
进一步地,所述加热系统还包括隔热部件,所述隔热部件设置在所述陶瓷绝缘件的底部;所述隔热部件包括一层或多层隔热屏,所述隔热部件最上层的隔热屏的上表面为镜面。
进一步地,所述发热体包括分离的第一发热组件和第二发热组件,所述第一发热组件和第二发热组件之间隔开预定的间距,相邻的发热组件之间设置有隔离件。
进一步地,所述隔离件包括隔离陶瓷以及隔离陶瓷热防护件;所述隔离陶瓷热防护件包括与所述第一发热组件相对的第一隔离陶瓷热防护部,以及与所述第二发热组件相对的第二隔离陶瓷热防护部;所述第一隔离陶瓷热防护部和第二隔离陶瓷热防护部彼此分开。
进一步地,所述第一发热组件和第二发热组件包括片状或弹簧丝状发热组件。
进一步地,所述发热体支撑件包括支撑部和所述支撑部向下延伸形成的臂部,所述支撑部与所述发热体支撑连接,所述臂部伸入所述陶瓷绝缘件上的容置盲孔底部并与所述容置盲孔间隙配合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中科优唯科技有限公司,未经北京中科优唯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510324880.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的