[发明专利]一种宽脉冲触发的高灵敏市电监测系统

权利要求书

1.一种宽脉冲触发的高灵敏市电监测系统，其由比对电路，同时与比对电路相连接的过压检测电路和欠压检测电路以及移相电路，与过压检测电路和欠压检测电路相连接的保护电路，与保护电路相连接的触发电路，以及与触发电路相连接的振荡电路组成；其特征在于，在欠压检测电路与触发电路之间还串接有宽脉冲触发电路；所述的宽脉冲触发电路由三极管VT5，三极管VT6，单向晶闸管D12，场效应管MOS1，N极顺次经二极管D10和二极管D11后与三极管VT5的发射极相连接、P极则顺次经二极管D9和电阻R17后与三极管VT5的集电极相连接的稳压二极管D8，一端与稳压二极管D8的N极相连接、另一端则经电阻R16后与稳压二极管D8的P极相连接的电位器R15，负极分别与稳压二极管D8的P极以及欠压检测电路相连接、正极则与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C7，一端与三极管VT5的基极相连接、另一端则接地的电阻R18，一端与场效应管MOS1的源极相连接、另一端则与单向晶闸管D12的N极相连接的电阻R19，以及一端与单向晶闸管D12的P极相连接、另一端则与触发电路相连接的电阻R20组成；所述场效应管MOS1的栅极分别与极性电容C7的正极以及三极管VT5的集电极相连接、其漏极则与三极管VT5的基极相连接、而其源极则与单向晶闸管D12的控制极相连接；所述三极管VT6的基极与稳压二极管D8的P极相连接、其集电极则与场效应管MOS1的栅极相连接、其发射极接地；所述电位器R15的滑动端则与稳压二极管D8的N极相连接。

2.根据权利要求1所述的一种宽脉冲触发的高灵敏市电监测系统，其特征在于：所述移相电路由移相芯片U1，三极管VT3，三极管VT4，一端与移相芯片U1的VCC+管脚相连接、另一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接的电阻R12，负极与过压检测电路相连接、正极与移相芯片U1的IN2管脚相连接的电容C4，一端与移相芯片U1的IN1管脚相连接、另一端与保护电路相连接的电阻R11，正极经电阻R13后与移相芯片U1的NC管脚相连接、负极与三极管VT4的集电极相连接的电容C6，正极与移相芯片U1的OUT管脚相连接、负极接地的电容C5，一端与移相芯片U1的OUT管脚相连接、另一端与电容C6的正极相连接的电位器R14，P极与移相芯片U1的OFF1管脚相连接、N极与三极管VT4的基极相连接的二极管D7，以及P极与移相芯片U1的OFF2管脚相连接、N极与三极管VT3的发射极相连接的二极管D6组成；所述移相芯片U1的IN1管脚与比对电路相连接、VCC-管脚接地、OFF2管脚与振荡电路相连接，OUT管脚与电位器R14的滑动端相连接，三极管VT4的发射极与三极管VT3的基极相连接，三极管VT3的集电极作为系统的一输出极。

3.根据权利要求2所述的一种宽脉冲触发的高灵敏市电监测系统，其特征在于：所述的比对电路由电容C1，二极管D1，电阻R3，电位器R1，以及电位器R2组成；电容C1的正极与二极管D1的P极相连接、负极接地，二极管D1的P极与移相芯片U1的IN1管脚相连接、其N极则与电阻R3的一端相连接，电位器R2的一端与电阻R3的另一端相连接、其另一端与欠压检测电路相连接，电位器R1与电位器R2相并联，电位器R1的滑动端和电位器R2的滑动端均与欠压检测电路相连接。

4.根据权利要求3所述的一种宽脉冲触发的高灵敏市电监测系统，其特征在于：所述的过压检测电路由电阻R5，第一指示灯VL1，反相器P5，反相器P4，二极管D3组成；电阻R5的一端与电容C4的负极相连接、另一端经第一指示灯VL1后与反相器P4的正相端相连接，反相器P5的正相端与电位器R1的滑动端相连接、其反相端与反相器P4的正相端相连接，二极管D3的N极同时与欠压检测电路和保护电路相连接、P极则与反相器P4的反相端相连接。

5.根据权利要求4所述的一种宽脉冲触发的高灵敏市电监测系统，其特征在于：所述的欠压检测电路包括反相器P6，二极管D2，第二指示灯VL2，电阻R4；反相器P6的正相端与电位器R2的滑动端相连接、其反相端则经第二指示灯VL2和电阻R4后同时与电位器R1和电位器R2的连接点以及场效应管MOS1的栅极相连接，二极管D2的P极与反相器P6的反相端相连接、其N极则与二极管D3的N极相连接。