[发明专利]USBType‑C接口的识别电路有效
| 申请号: | 201510317132.1 | 申请日: | 2015-06-10 |
| 公开(公告)号: | CN104899176B | 公开(公告)日: | 2017-09-19 |
| 发明(设计)人: | 吴茂东;王腾月;朱卡 | 申请(专利权)人: | 赛尔康技术(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | G06F13/42 | 分类号: | G06F13/42 |
| 代理公司: | 深圳市中知专利商标代理有限公司44101 | 代理人: | 张皋翔 |
| 地址: | 518125 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | usb type 接口 识别 电路 | ||
1.一种USB Type-C接口的识别电路,一端与USB Type C适配器的5V输出端连接,另一端与USB Type C的终端设备连接,终端设备的第一输入端通过具有隔离作用的第一上拉电阻与USB Type C适配器的5V输出端连接,终端设备的第二输入端通过具有隔离作用的第二上拉电阻与USB Type C适配器的5V输出端连接,终端设备的第一输入端、终端设备的第二输入端在不同应用场合的作用不同,传输的信号包括通信信号和电压信号,第一上拉电阻和第二上拉电阻分别与终端设备的电阻构成分压电路获取终端设备的第一输入端、终端设备的第二输入端的电压信号量值,用于判断终端设备是否正确连接且由识别电路根据电压信号的量值控制USB Type C适配器的5V输出端与充电器的输出端连接或隔离,其特征在于:
设有作为隔离开关用的MOSFET场效应管以及连接在其栅极与漏极之间的限流电阻,MOSFET场效应管的栅极与USB Type C适配器的5V输出端连接,MOSFET场效应管的源极与充电器的输出端连接,所述MOSFET场效应管用于确保充电器的输出端在未接负载和移除负载后处于无功率输出状态,以符合现行的“USB Type-C Specification Release 1.1”和“USB Type-C Specification Release 1.0”标准要求;
还设有控制MOSFET场效应管导通或关断的第一电子开关,所述第一电子开关包括第一开关三极管、第二开关三极管及其集电极限流电阻,以及连接在第一开关三极管的输入电路的构成第一延时支路的第一延时电阻和第一延时电容、连接在第二开关三极管的输入电路的构成第二延时支路的第二延时电阻和第二延时电容组成的具有延时功能的级联式电子开关,第一延时支路和第二延时支路用于分别延迟第一开关三极管、第二开关三极管的导通时间,导通时间设定为100毫秒至200毫秒;
还设有控制第一开关三极管导通或关断的第二电子开关,所述第二电子开关是由两只同类型BJT构成的第一三极管复合管和第二三极管复合管组成;
所述第一三极管复合管的发射极与终端设备的第一输入端连接,接受终端设备的第一输入端给定的通信信号,由具有延时功能的级联式电子开关在“USB Type-C Specification Release 1.1”和“USB Type-C Specification Release 1.0”标准限定的时间100毫秒至200毫秒内进行识别,以判定MOSFET场效应管的导通或关断,充电器的输出端与USB Type C适配器的5V输出端是否由MOSFET场效应管连接或隔离,即电源是否给终端设备供电;
所述第二三极管复合管的发射极与终端设备的第二输入端连接,接受终端设备的第二输入端给定的通信信号,由具有延时功能的级联式电子开关在“USB Type-C Specification Release 1.1”和“USB Type-C Specification Release 1.0”标准限定的时间100毫秒至200毫秒内进行识别,以判定MOSFET场效应管的导通或关断,充电器的输出端与USB Type C适配器的5V输出端是否由MOSFET场效应管连接或隔离,即电源是否给终端设备供电。
2.如权利要求1所述的USB Type-C接口的识别电路,其特征在于:
还设有由第一分压电阻、第二分压电阻和第三分压电阻串接组成的参考电压源,第一分压电阻的一端与USB Type C适配器的5V输出端连接,第三分压电阻的一端与GND连接,第一分压电阻的另一端通过第一限流电阻和第三分压电阻的另一端通过第二限流电阻向第一三极管复合管提供第一参考电压,第二限流电阻的两端分别通过第三限流电阻、第四限流电阻向第二三极管复合管提供第二参考电压,第一限流电阻、第二限流电阻、第三限流电阻和第四限流电阻分别用于限制相应开关三极管的电流,以防影响终端设备的第一输入端、终端设备的第二输入端。
3.如权利要求1或2所述的USB Type-C接口的识别电路,其特征在于:
所述MOSFET场效应管是耐电压大于5.5V的P沟道MOSFET场效应管,耐电流根据客户要求做相应的调整。
4.如权利要求3所述的USB Type-C接口的识别电路,其特征在于:
所述第一延时电容是介质材料为X7R的温度稳定型陶瓷电容器和介质材料为包括铷、钐的稀有金属氧化物的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器中的一种,以减少温度对延时支路的影响。
5.如权利要求4所述的USB Type-C接口的识别电路,其特征在于:
所述第二延时电容是介质材料为X7R的温度稳定型陶瓷电容器和介质材料为包括铷、钐的稀有金属氧化物的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器中的一种,以减少温度对延时支路的影响。
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