[发明专利]抗单粒子效应的SRAM存储单元

权利要求书

1.一种抗单粒子效应的SRAM存储单元，包括第一输入输出端口、第一电位翻转恢复驱动电路、第二电位翻转恢复驱动电路和第二输入输出端口；其特征是：所述SRAM存储单元还包括RC滤波电路，所述第一输入输出端口、第一电位翻转恢复驱动电路、RC滤波电路、第二电位翻转恢复驱动电路和第二输入输出端口依次串联，所述第一输入输出端口通过第三NMOS管与第一电位翻转恢复驱动电路连接，所述第二输入输出端口通过第四NMOS管与第二电位翻转恢复驱动电路连接；所述第一、第二电位翻转恢复驱动电路均由一个上拉PMOS管与下拉NMOS管构成；所述RC滤波电路包括第一电阻、第二电阻和电容，所述第一电阻一端连接在第一输入输出端口与第一电位翻转恢复驱动电路连接的节点处，另一端与第二电位翻转恢复驱动电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管的栅极相连，所述第二电阻一端连接在第二输入输出端口与第二电位翻转恢复驱动电路连接的节点处，另一端与第一电位翻转恢复驱动电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管的栅极相连，所述电容一端与第一电位翻转恢复驱动电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管的栅极相连，另一端与第二电位翻转恢复驱动电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管的栅极相连。

2.根据权利要求1所述的抗单粒子效应的SRAM存储单元，其特征是：所述第一电阻和第二电阻均为高阻多晶硅电阻。

3.根据权利要求1所述的抗单粒子效应的SRAM存储单元，其特征是：所述电容为MIM电容。

4.根据权利要求1所述的抗单粒子效应的SRAM存储单元，其特征是：所述第一、第二电位翻转恢复驱动电路的上拉PMOS管的源极均连接到电源正极，所述第一、第二电位翻转恢复驱动电路的下拉NMOS管的源极均接地，所述第一、第二电位翻转恢复驱动电路的上拉PMOS管的漏极和下拉NMOS管漏极相连分别形成第一节点和第二节点，所述第一、第二电位翻转恢复驱动电路的上拉PMOS管的栅极与下拉NMOS管的栅极相连分别形成第三节点和第四节点。

5.根据权利要求4所述的抗单粒子效应的SRAM存储单元，其特征是：所述第三NMOS管和第四NMOS管的栅极与开关信号相连，第三NMOS管的源极与第一输入输出端口相连，第三NMOS管的漏极连接到第一节点处，第四NMOS管的源极与第二输入输出端口相连，第四NMOS管的漏极连接到第二节点处。