[发明专利]具有残余应力层的半导体封装件及其制造方法

说明书

提供具有残余应力层的半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括下封装件和堆叠在下封装件上的上封装件。下封装件包括封装基底、半导体芯片、模制层和残余应力层。封装基底具有上表面和下表面。半导体芯片设置在封装基底的上表面上。模制层包封半导体芯片。残余应力层设置在半导体芯片上。残余应力层包括塑性形变的表面。残余应力层具有残余应力以抵消下封装件的翘曲。

本申请要求于2014年7月7日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0084654号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及具有残余应力层的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

在半导体工业中，已经开发了各种封装技术以满足对半导体装置和/或电子电器的大存储、薄厚度和小尺寸的需要。半导体封装件会由于施加到其上的热而产生翘曲。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括下封装件和堆叠在下封装件上的上封装件。下封装件包括封装基底、半导体芯片、模制层和残余应力层。封装基底具有上表面和下表面。半导体芯片设置在封装基底的上表面上。模制层包封半导体芯片。残余应力层设置在半导体芯片上。残余应力层包括塑性形变的表面。残余应力层具有残余应力以抵消下封装件的翘曲。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种半导体封装件。下封装件包括下半导体芯片、下封装基底和下模制层。下半导体芯片安装在下封装基底上。下模制层包封下半导体芯片。上封装件堆叠在下封装件上。上封装件包括上半导体芯片、上封装基底和上模制层。上半导体芯片安装在上封装基底上。上模制层包封上半导体芯片。残余应力层具有残余应力以抵消下封装件的翘曲。残余应力层与下封装件接触。残余应力层包括多个第一凹痕。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种制造半导体封装件的方法。形成下封装件。在下封装件上堆叠上封装件。形成连接端子以将下封装件和上封装件彼此电连接。为了形成下封装件，将下半导芯片安装在下封装基底的上表面上。在下封装基底的上表面上形成模制层，以包封下半导体芯片并且暴露下半导体芯片的上表面。形成覆盖下半导体芯片和下模制层的种子层。对种子层的表面执行喷丸处理，以使种子层的表面塑性形变。将具有塑性形变的表面的种子层图案化，以形成残余应力层。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种制造半导体封装件的方法。提供下封装件。下封装件包括下封装基底、安装在下封装基底上的下半导体芯片以及包封下半导体芯片的下模制层。在下封装件上堆叠上封装件。上封装件包括上封装基底、安装在上封装基底上的上半导体芯片以及包封上半导体芯片的上模制层。在上封装件和下封装件之间形成残余应力层。残余应力层具有残余应力以抵消下封装件的翘曲。为了形成残余应力层，在下封装件上形成金属种子层。对金属种子层的表面执行喷丸处理以使金属种子层的表面塑性形变。将具有塑性形变的表面的金属种子层图案化以形成残余应力层。残余应力层暴露下模制层。

根据本发明构思的示例性实施例，半导体封装件包括下封装件和堆叠在下封装件上的上封装件。下封装件包括具有多个第一凹痕的表面。

附图说明

通过参考附图详细描述发明构思的示例性实施例，本发明构思的这些和其它特征将变得更加明显，其中：

图1A至图1C是示出根据本发明构思的示例性实施例的使用喷丸处理制造半导体封装件的方法的剖视图；

图2A至图2B是示出半导体封装件的翘曲的剖视图；

图3A和图3B是示出根据本发明构思的示例性实施例的喷丸处理的剖视图；

图4A示出显示了根据本发明构思的示例性实施例的半导体封装件的残余应力和翘曲之间的关系的图；

图4B和图4C是示出根据本发明构思的示例性实施例的喷丸处理的效果的剖视图；