[发明专利]包括多重缓冲层的太阳能电池及其制造方法有效

申请号：	201510312947.0	申请日：	2015-06-09
公开（公告）号：	CN105206690B	公开（公告）日：	2019-08-16
发明（设计）人：	李根;郭元燮;金珍赫;金譓俐;金镇雄	申请（专利权）人：	SK新技术株式会社
主分类号：	H01L31/0749	分类号：	H01L31/0749;H01L31/032;H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司：	北京路浩知识产权代理有限公司 11002	代理人：	张晶;王莹
地址：	韩国***	国省代码：	韩国;KR
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摘要：
搜索关键词：	包括多重缓冲太阳能电池及其制造方法
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【权利要求书】：

1.一种太阳能电池，其包括：

基底；

背电极层，其形成在所述基底的上方；

光吸收层，其形成在所述背电极层的上方；

缓冲层，其包括形成在所述光吸收层上方的第一缓冲层和形成在所述第一缓冲层上方的第二缓冲层；以及

前电极层，其形成在所述缓冲层的上方，

其中，所述第一缓冲层是无氧层，

其中，当测量时，相对于包含在所述缓冲层中的总的原子，所述缓冲层包括0.5原子％-2原子％的Na，

其中，包含在所述缓冲层中的Na含量根据位置而不同且在所述光吸收层和所述缓冲层之间的交界面最高，

所述光吸收层包括选自CuInS₂(CIS)、CuGaS₂(CGS)、CuInSe₂(CISe)、CuGaSe₂(CGSe)、CuAlSe₂(CASe)、CuInTe₂(CITe)、CuGaTe₂(CGTe)、Cu(In,Ga)S₂(CIGS)、Cu(In,Ga)Se₂(CIGSe)、Cu₂ZnSnS₄(CZTS)、CdTe中的一个以上的硫族化合物，

所述光吸收层是通过沉积硫族化合物并且使用H₂Se或H₂S气体进行热处理来形成，所述光吸收层表面是通过将所述光吸收层表面浸渍到选自H₂S、H₂Se、H₂Te中的一个以上的化合物中来进行预处理。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一缓冲层包括ZnS、ZnSe、ZnTe或其组合物。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一缓冲层的带隙能量为3.5eV-3.7eV。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一缓冲层的厚度为0.2nm-2nm。

5.如权利要求1所述的太阳能电池，

其中，所述第二缓冲层包括含氧原子层和无氧原子层的堆叠层，

其中，所述含氧原子层包括(i)Zn和(ii)O，以及

其中，所述无氧原子层包括(i)Zn和(ii)S、Se、Te或其组合物。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，

其中，所述第二缓冲层包括第三缓冲层和第四缓冲层的堆叠层，

其中，所述第三缓冲层包括ZnO、ZnOS、ZnOSe、ZnOTe或其组合物，以及

其中，所述第四缓冲层包括ZnS、ZnSe、ZnTe或其组合物。