[发明专利]基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法

权利要求书

1.基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法，其特征在于：包括如下步骤(1)Cu掺杂多元量子点的制备；(2)QD-LED构建，所述QD-LED构建包括基底制备和电极制备；

所述基底制备为将ITO片基底先后在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声处理，然后以臭氧进行表面处理得到预处理后的ITO片基底；

所述电极制备为在预处理后的ITO片基底上旋涂聚(3，4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐层或者NiO纳米颗粒层后烘干，然后依次旋涂空穴传输层、发光层和电子传输层得到多层结构基片，再将多层结构基片在真空环境下沉积阳极即可，其中发光层为Cu掺杂多元量子点层，电子传输层为金属氧化物纳米颗粒层。

2.根据权利要求1所述的基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法，其特征在于：所述基底制备步骤中将ITO片基底先后在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声处理10-30min。

3.根据权利要求2所述的基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法，其特征在于：所述基底制备步骤中将ITO片基底先后在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声处理的时间相同。

4.根据权利要求1所述的基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法，其特征在于：所述基底制备步骤中ITO片基底以臭氧表面处理为在空气中进行。

5.根据权利要求1-4任一所述的基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法，其特征在于：所述ITO片基底包括基材和设置在基材上的ITO层，所述基材为刚性基材或者柔性基材。

6.根据权利要求1所述的基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法，其特征在于：所述电极制备步骤中旋涂聚(3，4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐层或者NiO纳米颗粒层或空穴传输层或发光层或电子传输层中任一层后还包括干燥步骤，所述干燥步骤为阴干或者低温低压干燥或者低温烘烤。

7.根据权利要求1所述的基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法，其特征在于：所述电极制备步骤中旋涂聚(3，4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐层或者NiO纳米颗粒层后烘干步骤为在空气环境下于80-200℃中烘烤10-30min。

8.根据权利要求1所述的基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法，其特征在于：所述电极制备步骤中电子传输层的金属氧化物纳米颗粒层为ZnO纳米颗粒层或者TiO₂纳米颗粒层。

9.根据权利要求1所述的基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法，其特征在于：所述电极制备步骤中多层结构基片在真空环境下沉积阳极的真空环境的压强为1×10^-7-5×10^-7torr。

10.根据权利要求1所述的基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法，其特征在于：所述电极制备步骤中多层结构基片在真空环境下沉积阳极的阳极为低功函阳极层。