[发明专利]一种制作纳米线的方法

权利要求书

1.一种制作纳米线的方法，其特征在于，包括：

设置衬底；

在所述衬底上表面沉积生长预设模板形状的第一牺牲物，所述第一牺牲物为实体且包括M个与所述衬底垂直的外表面，所述M大于1；

在所述M个与所述衬底垂直的外表面中按照预定规则选择N个外表面用于为第一隔离物的生长提供模板，所述N大于1且小于等于M；

沿第一牺牲物的所述N个外表面沉积生长预设厚度的第一隔离物，所述预设厚度的第一隔离物的下方仍有所述衬底；

移除所述第一牺牲物；

以所述预设厚度的第一隔离物为掩模各向异性刻蚀所述衬底；

移除所述预设厚度的第一隔离物，得到第一组半导体鳍条；

使用填充物填充所述衬底被刻蚀的部分，使得被填充后的衬底与未被刻蚀时的衬底形状一样，所述填充物与所述衬底能够被同种预定刻蚀材料刻蚀；

在所述被填充后的衬底的上表面沉积生长预设模板形状的第二牺牲物，所述第二牺牲物为实体且包括X个与所述被填充后的衬底垂直的外表面，所述X大于1；

在所述X个与所述被填充后的衬底垂直的外表面中按照预定规则选择Y个外表面用于为第二隔离物的生长提供模板，所述Y大于1且小于等于X；第二牺牲物的所述Y个外表面分别与所述第一组半导体鳍条中各个半导体鳍条形成有预设交叉角度；

沿第二牺牲物的所述Y个外表面沉积生长预设厚度的第二隔离物，所述预设厚度的第二隔离物的下方仍有所述被填充后的衬底；

移除所述第二牺牲物；

以所述预设厚度的第二隔离物为掩模各向异性刻蚀所述被填充后的衬底；

移除所述预设厚度的第二隔离物，得到第二组半导体鳍条；

移除所述填充物，得到纳米线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底包括体硅衬底、SOI衬底、锗硅衬底、三五族材料衬底、或者多种半导体材料薄膜堆叠衬底其中任意一种半导体衬底。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上表面沉积生长预设模板形状的第一牺牲物包括：

在所述衬底上表面沉积生长第一牺牲物薄膜，利用光刻和刻蚀技术将所述第一牺牲物薄膜定义成预设模板形状的第一牺牲物。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在被填充后的衬底上表面沉积生长预设模板形状的第二牺牲物包括：

在所述被填充后的衬底上表面沉积生长第二牺牲物薄膜，利用光刻和刻蚀技术将所述第二牺牲物薄膜定义成预设模板形状的第二牺牲物。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述沿第一牺牲物的所述N个外表面沉积生长预设厚度的第一隔离物包括：

沿第一牺牲物的所述N个外表面沉积生长预设厚度的第一隔离物薄膜，所述第一隔离物薄膜的厚度用于限定所述第一组半导体鳍条的宽度，以使得所述第一组半导体鳍条的宽度与所述第一隔离物薄膜的厚度相等；

利用各向异性刻蚀技术将所述第一隔离物薄膜刻蚀形成预设厚度的第一隔离物。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述沿第二牺牲物的所述Y个外表面沉积生长预设厚度的第二隔离物包括：

沿第二牺牲物的所述Y个外表面沉积生长预设厚度的第二隔离物薄膜，所述第二隔离物薄膜的厚度用于限定所述第二组半导体鳍条的宽度，以使得所述第二组半导体鳍条的宽度与所述第一隔离物薄膜的厚度相等；

利用各向异性刻蚀技术将所述第二隔离物薄膜刻蚀形成预设厚度的第二隔离物。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述使用填充物填充所述衬底被刻蚀的部分之后，在所述在被填充后的衬底上表面沉积生长预设模板形状的第二牺牲物之前，所述方法还包括：

将所述被填充后的衬底抛光，以暴露出所述第一组半导体鳍条的顶部。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

所述第一牺牲物的制成材料包括多晶硅、α硅以及光刻胶其中任意一种。