[发明专利]多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试方法及装置有效

专利信息
申请号: 201510309795.9 申请日: 2015-06-09
公开(公告)号: CN104865052A 公开(公告)日: 2015-08-26
发明(设计)人: 刘晖;王昊;孙翔;沈泽南;吴迪;刘兴胜 申请(专利权)人: 西安炬光科技有限公司
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02;G01J11/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710077 陕西省西安市高新区*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 多发 单元 半导体激光器 空间 光束 轮廓 测试 方法 装置
【权利要求书】:

1.多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试方法包括以下步骤:

(1)步骤一:将多发光单元半导体激光器出射的光进行分束,分成光束A及光束B;

(2)步骤二:对光束A在快轴方向上进行光学放大,使用图像传感器M探测光束A中各个发光单元的强度,并探测各个发光单元在快轴方向的相对位置偏移,测试图像参数记录为S1;

(3)步骤三:对光束B在慢轴方向上进行光学放大,使用图像传感器N探测光束B各个发光单元的强度,并探测各个发光单元在慢轴方向的相对位置偏移,测试图像参数记录为S2;

(4)步骤四:通过工控机将步骤二所得的测试图像参数S1及步骤三所得的测试图像参数S2进行图像合成,该合成图像即为多发光单元半导体激光器空间光束轮廓,图像参数记录为S3。

2.根据权利要求1所述的多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试方法,其特征在于:步骤一中,所述的光束A和光束B的光强比为1:1。

3.根据权利要求1所述的多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试方法,其特征在于:所述的步骤二中图像传感器M为电荷耦合器件或者互补性金属氧化物半导体传感器,所述的步骤三中图像传感器N为电荷耦合器件或者互补性金属氧化物半导体传感器。

4.多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试装置,其特征在于:包括多发光单元半导体激光器,分光镜,快轴放大成像系统,慢轴放大成像系统,图像传感器M,图像传感器N,工控机;所述的分光镜设置在多发光单元半导体激光器的出光位置,将多发光单元半导体激光器出射的光分成光束A和光束B;所述快轴放大成像系统设置在光束A传播方向,用于对光束A在快轴方向进行放大成像;所述图像传感器M设置在快轴放大成像系统后端,用于探测经快轴放大成像系统后的光束A的强度分布及光束A中的各个发光单元的相对位置偏移;所述的慢轴放大成像系统设置在光束B传播方向上,用于将光束B在慢轴方向进行放大成像,所述的图像传感器N设置在慢轴放大成像系统后端,用于探测经慢轴放大成像系统后的光束B强度分布及光束B中的各个发光单元的相对位置偏移;所述的工控机与图像传感器M及图像传感器N进行连接。

5.根据权利要求4所述的多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试装置,其特征在于:所述的图像传感器M为电荷耦合器件或者互补性金属氧化物半导体传感器;图像传感器N为电荷耦合器件或者互补性金属氧化物半导体传感器。

6.根据权利要求4所述的多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试装置,其特征在于:还包括反射镜,所述的反射镜设置在光束A的出射方向用于将光束A的发射光方向旋转90度后入射至快轴放大成像系统;或者所述的反射镜设置在光束B的出射方向用于将光束B的发射光方向旋转90度后入射至慢轴放大成像系统。

7.根据权利要求4所述的多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试装置,其特征在于:光束A和光束B的光强比例为1:1。

8.根据权利要求4所述的多发光单元半导体激光器空间光束轮廓的测试装置,其特征在于:所述慢轴放大系统为远心镜成像系统。

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