[发明专利]阵列基板及其修复方法、测试方法、制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201510309305.5 申请日: 2015-06-04
公开(公告)号: CN104851404B 公开(公告)日: 2018-09-04
发明(设计)人: 冯伟 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 林桐苒;曲鹏
地址: 230011 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 修复 方法 测试 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,包括显示区域和边框区域,所述显示区域包括:基底、形成在所述基底上的栅线图形和数据线图形,以及形成在所述栅线图形和所述数据线图形之间的栅绝缘层图形,其特征在于,还包括:与所述栅线图形同层形成的备用线图形,形成在所述栅绝缘层图形上的像素电极图形,所述像素电极图形包括对应于各个像素的像素电极,形成在所述像素电极图形上方的钝化层图形以及形成在所述钝化层图形上方的公共电极图形;所述备用线图形包括多条平行于所述栅线图形中的栅线的备用线,每条备用线分布于所述栅线图形和数据线图形所限定的多行像素位置处,并与位于该备用线上方的各个像素电极存在垂直交叠区域,所述钝化层图形在所述垂直交叠区域内形成有定位孔,所述定位孔用于对像素进行测试时,使所述定位孔处的像素电极和像素电极下方的备用线相连;所述备用线图形中的每条备用线从显示区域延伸至所述阵列基板的边框区域,并在边框区域暴露;还包括形成在所述钝化层图形上方的孤岛电极图形,所述孤岛电极图形中的各个孤岛电极与所述公共电极图形中的公共电极隔离,并通过所述钝化层图形中的定位孔与所述像素电极图形中的像素电极相连。

2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线图形和数据线图形限定的多行像素中的每一行像素位置处均设置有一条备用线。

3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述备用线图形中的备用线包括备用线主体和与所述备用线主体相连的导电片,所述导电片位于所述边框区域且暴露。

4.一种对如权利要求1-3任一项所述的阵列基板进行测试的方法,其特征在于,包括:

在需要对一个像素进行测试时,将该像素的定位孔位置处的栅绝缘层材料熔融掉,使该像素定位孔处的像素电极和像素电极下方的备用线相连。

5.一种制作如权利要求1-3任一项所述的阵列基板的方法,包括:在显示区域的基底上形成栅线图形和数据线图形以及所述栅线图形和所述数据线图形之间的栅绝缘层图形,形成像素电极图形,在像素电极图形之上形成钝化层图形;其特征在于,包括:形成与所述栅线图形同层的备用线图形,即在形成所述栅线图形的同一工艺形成所述备用线图形;所述备用线图形包括多条平行于栅线设置的备用线,每条备用线分布于所述栅线图形和数据线图形所限定的多行像素位置处,并与位于该备用线上方的各个像素电极存在垂直交叠区域;所述备用线图形中的每条备用线从显示区域延伸至所述阵列基板的边框区域,并在边框区域暴露;所述钝化层图形在备用线的上方的位置形成有定位孔,并在钝化层图形之上形成公共电极图形和孤岛电极图形,孤岛电极图形填充到所述定位孔中。

6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-3任一项所述的阵列基板。

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