[发明专利]固体摄像装置及照相机模组无效
| 申请号: | 201510309038.1 | 申请日: | 2015-06-08 |
| 公开(公告)号: | CN105280656A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
| 发明(设计)人: | 宇家真司;幸山裕亮 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固体 摄像 装置 照相机 模组 | ||
相关申请的交叉引用
本申请基于2014年7月24日提出的日本专利申请第2014-151182号主张优先权,这里引用其全部内容。
技术领域
本发明涉及固体摄像装置及照相机模组。
背景技术
近年来,在应用到照相机模组中的固体摄像装置中,通过使像素尺寸变小而增加每单位面积的像素数,实现了较高的分辨率。
但是,在用在照相机模组中的包括摄像透镜的光学系统中,由于有摄像透镜的衍射极限及像差,所以在透镜的分辨率上有极限。因此,在以往的固体摄像装置中如果像素尺寸变小到某个规定的水平,则即使进一步使像素尺寸变小,分辨率也不再提高。
发明内容
本发明要解决的课题是提供一种即使是分辨率极限达到了像素微细化的尽头的固体摄像装置、也能够使分辨率提高的固体摄像装置及照相机模组。
一技术方案的固体摄像装置具备:传感器基板,以2维阵列状配置有多个光电变换元件;微透镜,设在与上述多个光电变换元件的各受光面分别对置的位置,将入射的光向上述光电变换元件聚光;以及平坦化层,设在上述微透镜的光入射一侧,折射率比空气的折射率高,并且是上述微透镜的折射率的1/1.3倍以下。
另一技术方案的照相机模组具备:传感器基板,以2维阵列状配置有多个光电变换元件;微透镜,设在与上述多个光电变换元件的各受光面分别对置的位置,将入射的光向上述光电变换元件聚光;摄像透镜,使来自被摄体的光成像在上述多个微透镜上;以及平坦化层,设在上述摄像透镜与上述微透镜之间,折射率比空气的折射率高,并且是上述微透镜的折射率的1/1.3倍以下。
根据上述结构的固体摄像装置及照相机模组,即使是分辨率极限达到了像素微细化的尽头的固体摄像装置,也能够使分辨率提高。
附图说明
图1是表示有关第1实施方式的照相机模组的概略结构的剖视图。
图2是示意地表示有关第1实施方式的照相机模组的说明图。
图3A~图3B是表示有关第1实施方式的固体摄像装置的制造工序的截面示意图。
图4A~图4B是表示有关第1实施方式的固体摄像装置的制造工序的截面示意图。
图5是示意地表示有关第2实施方式的照相机模组的说明图。
具体实施方式
根据本实施方式,提供一种固体摄像装置。固体摄像装置具备传感器基板、微透镜和平坦化层。传感器基板以2维阵列状配置有多个光电变换元件。微透镜设在与多个光电变换元件的各受光面分别对置的位置,将入射的光向上述光电变换元件聚光。平坦化层设在微透镜的光入射的一侧,折射率比空气的折射率高,并且是微透镜的折射率的1/1.3倍以下。
以下,参照附图对有关实施方式的固体摄像装置及照相机模组详细地说明。另外,并不由这些实施方式限定本发明。
(第1实施方式)
图1是表示有关第1实施方式的照相机模组1的概略结构的剖视图,图2是示意地表示有关第1实施方式的照相机模组1的说明图。如图1所示,照相机模组1具备摄像透镜10、透镜保持器11、遮蔽盒12、陶瓷基板3和固体摄像装置14。
遮蔽盒12是底面被开放、在上表面的中央设有圆形的开口的箱状的盒。透镜保持器11是与设在遮蔽盒12的上表面上的开口嵌合的环状的部件,支撑摄像透镜10的周缘部。
摄像透镜10将来自被摄体的光取入,使固体摄像装置14将被摄体像成像。另外,在透镜保持器11,在内周缘部设有能够调整从摄像透镜10入射的光的量的光圈部13。
陶瓷基板3是将遮蔽盒12的被开放的底面闭塞的罩。固体摄像装置14设在被陶瓷基板3、遮蔽盒12和摄像透镜10包围的内部空间中。具体而言,固体摄像装置14设在陶瓷基板3上的中央,以使从摄像透镜10入射的光的光轴成为受光面的中心。
固体摄像装置14具备设在陶瓷基板3上的逻辑基板31、设在逻辑基板31上的传感器基板2、设在作为传感器基板2的受光面的上表面上的多个微透镜32、和将微透镜32覆盖的平坦化层4。
传感器基板2具备将被摄体摄像的图像传感器。图像传感器是CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor)图像传感器。另外,图像传感器例如也可以是CCD(ChargeCoupledDevice)传感器等其他图像传感器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





