[发明专利]晶圆级芯片TSV封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片 TSV 封装结构，包括若干阵列排布的芯片单元，芯片单元上设有若干TSV结构，相邻的芯片单元之间形成有若干切割道，其特征在于，所述芯片单元包括相对的第一表面和第二表面，第一表面的四周设有若干与TSV结构相连的焊窗开口，同一个芯片单元内焊窗开口的分布有且仅有一条对称轴，相邻芯片单元上的焊窗开口沿位于相邻芯片单元之间的切割道对称分布。

2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片 TSV 封装结构，其特征在于，所述切割道包括若干相互垂直的第一切割道和第二切割道，与第一切割道相邻的芯片单元上的焊窗开口沿该第一切割道对称分布，与第二切割道相邻的芯片单元上的焊窗开口沿该第二切割道对称分布。

3.根据权利要求2所述的晶圆级芯片 TSV 封装结构，其特征在于，所述芯片单元与位于该芯片单元两侧的两条第一切割道的距离相同或不同，所述芯片单元与位于该芯片单元两侧的两条第二切割道的距离相同或不同。

4.根据权利要求3所述的晶圆级芯片 TSV 封装结构，其特征在于，所述芯片单元与位于该芯片单元两侧的第一切割道和第二切割道的距离相同或不同。

5.根据权利要求1所述的晶圆级芯片 TSV 封装结构，其特征在于，所述芯片单元的第二表面上设有若干与TSV结构相连的焊盘，所述焊盘阵列排布于第二表面中间位置，焊盘和焊窗开口通过重布线电性导通。

6.根据权利要求5所述的晶圆级芯片 TSV 封装结构，其特征在于，所述TSV结构包括贯穿第一表面和第二表面的通孔、以及在第二表面上开设的开槽，所述通孔是在所述开槽和所述焊窗开口之间进行刻蚀而形成。

7.一种晶圆级芯片TSV 封装结构的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：

提供一晶圆；

在晶圆上制备TSV封装结构，该TSV封装结构包括若干阵列排布的芯片单元，芯片单元上设有若干TSV结构，相邻的芯片单元之间形成有若干切割道，所述芯片单元包括相对的第一表面和第二表面，第一表面的四周设有若干与TSV结构相连的焊窗开口，同一个芯片单元内焊窗开口的分布有且仅有一条对称轴，相邻芯片单元上的焊窗开口沿位于相邻芯片单元之间的切割道对称分布；

将TSV封装结构沿所述切割道进行切割，得到若干单颗晶圆级芯片。

8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，所述切割道包括相互垂直的第一切割道和第二切割道，与第一切割道相邻的芯片单元上的焊窗开口沿第一切割道对称分布，与第二切割道相邻的芯片单元上的焊窗开口沿第二切割道对称分布。

9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，所述芯片单元与位于该芯片单元两侧的两条第一切割道的距离相同或不同，所述芯片单元与位于该芯片单元两侧的两条第二切割道的距离相同或不同。

10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述芯片单元与位于该芯片单元两侧的第一切割道和第二切割道的距离相同或不同。