[发明专利]n-型In-Sn-Li-Se基半导体中高温热电材料及其制备工艺在审
| 申请号： | 201510305817.4 | 申请日： | 2015-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN105002384A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | 崔教林 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C22C1/04 | 分类号： | C22C1/04;C22C28/00 |
| 代理公司： | 宁波奥凯专利事务所(普通合伙) 33227 | 代理人： | 潘杰;白洪长 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | in sn li se 半导体 高温 热电 材料 及其 制备 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种n-型In-Sn-Li-Se基半导体中高温热电材料，其特征在于在InSe合金中含有摩尔分数分别为0.00495的Sn和Li元素，构成四元中高温热电材料，该四元中高温热电材料的化学式为InSn0.01Li0.01Se。
2. 一种n-型In-Sn-Li-Se基半导体中高温热电材料的制备工艺，其特征在于该制备工艺是根据化学式InSn0.01Li0.01Se将In、Sn、Li、Se四种元素放置在石英管内真空熔炼合成，熔炼合成温度为950～1050℃，合成时间20～28小时，然后将真空石英管内的四元化合物随炉冷却至700～800℃后立即在水中淬火，将淬火后的铸锭粉碎、球磨，球磨后的粉末经放电等离子烧结制备，烧结温度为500～600℃，烧结压力40～60MPa，制备得到InSn0.01Li0.01Se热电材料。
3.根据权利要求2所述的n-型In-Sn-Li-Se基半导体中高温热电材料的制备工艺，其特征在于所述InSn0.01Li0.01Se热电材料的择优合成温度为1000℃，择优烧结温度为550℃，择优烧结压力50MPa，在烧结温度下保温10分钟。
4.根据权利要求2所述的n-型In-Sn-Li-Se基半导体中高温热电材料的制备工艺，其特征在于将所述四种元素先在高真空手套箱中配料，后直接放置在石英管中用石蜡封口，取出后迅速真空封装。
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