[发明专利]一种可补偿的电压测量方法

说明书

技术领域

本发明属于芯片的技术领域，特别涉及芯片电压检测方法。

背景技术

数模混合芯片一般都有内部基准电压，为了保证参考电压的绝对精度和一致性，芯片出厂时都会在量产测试中进行参考电压校准。虽然芯片本身参考电压可以校准到精度很高，但由于芯片与测试机台接触情况会影响测试精度，所以高精度基准电压校准是受限于芯片与测试机台的接触情况。接触情况体现在接触电阻不同，从而影响电压校准精度。

专利申请201210312733.X公开了一种芯片内部电源输出电压测量系统及方法。该芯片内部电源输出电压测量系统包括：测试机以及探针卡；其中所述测试机通过所述探针卡连接至待测芯片；其中，所述测试机包括驱动电压施加单元以及电源管理单元；而且其中，所述驱动电压施加单元用于向内部电源供电以确保电源供给的准确性；所述电源管理单元用于所述向所述待测芯片施加驱动电流，以量测所述待测芯片的内部电源输出电压；并且其中，所述测试机的第一通道和第二通道在输出端相互短接并连接至所述探针卡的一个输入端口；而且，所述探针卡的所述输入端口对应于所述待测芯片的一个引脚。。

发明内容

为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种可补偿的电压测量方法，该方法提供一种可补偿的电压测量方法，可对被测芯片和测量设备不同的接触情况进行电压补偿来提高电压测量精度。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下。

一种可补偿的电压测量方法，其特征在于该方法通过两次测量叠加在地线的电流值可测量得到两次测量电压，测试设备也可获得两次电压测试值，由此得到地线的接触电阻，之后算出被测芯片输出的电压值，即进行电压补偿后的电压值，该方法排除了由于接触不良导致接触电阻不同引起的不良影响，能够准确地测量电压，提高电压测量的精度。

所述方法，第一次测试设备测量被测芯片的参考电压为VBC,而被测芯片实际输出的参考电压为VEF，由于测试设备的地引脚C与测试设备的地引脚F地线之间存在接触电阻，可得到以下表达式：

VBC＝VEF+I1*(R0+R0X)……(1)

第二次测试时，测试设备需在测试设备供给被测芯片的电源引脚A端供电，同时额外增加被测芯片的普通输入输出引脚I2的驱动电流，则测试设备供给被测芯片的电源引脚与被测芯片的电源引脚AD的电流为I1+I2；

同时，测试设备需在测试设备的可给电流激励的引脚H端通过被测芯片的普通输入输出引脚I端给被测芯片灌入电流I2，则测试设备的地引脚C与测试设备的地引脚F的电流为I1+I2，测试设备测量被测芯片的参考电压为VBC2,而被测芯片实际输出的参考电压为VEF，可得到以下表达式：

VBC2＝VEF+(I1+I2)*(R0+R0X)……(2)

由公式(1),(2)可得

(R0+R0X)＝(VBC2-VBC)/I2……(3)

VEF＝VBC-I1*(VBC2-VBC)/I2……(4)

由两次测试的结果，则公式(4)就可精确得出芯片输出的参考电压值，其中I1*(VBC2-VBC)/I2为接触电阻补偿回来的电压值。

本发明通过对被测芯片的两次电压测量，获得两次电压测试值，由此得到地线的接触电阻，之后进行电压补偿，算出被测芯片输出的电压值。该方法排除了由于接触不良导致接触电阻不同引起的不良影响，能够准确地测量电压，提高电压测量的精度。

附图说明

图1是本发明所实施的电路图。

图2是本发明另一所种实施方式的电路图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

参考图1和图2，D为被测芯片的电源引脚，F为测试设备的地引脚，E为被测芯片的参考电压输出引脚，I为被测芯片的普通输入输出引脚；A为测试设备供给被测芯片的电源引脚，C为测试设备的地引脚，B为测试测试测量电压的引脚，H为测试设备的可给电流激励的引脚。

R0为测试设备和被测芯片地线接触良好时的电阻，R0X为测试设备和被测芯片地线接触不良时的增加阻值。

R1为测试设备和被测芯片内部参考电压线接触良好时的电阻，R1X为测试设备和被测芯片参考电压线接触不良时的增加阻值。

R2为测试设备和被测芯片电源线接触良好时的电阻，R2X为测试设备和被测芯片电源线接触不良时的增加阻值。