[发明专利]玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的制备方法有效
| 申请号: | 201510299397.3 | 申请日: | 2015-06-03 |
| 公开(公告)号: | CN104934109B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
| 发明(设计)人: | 张晨光;张钲;王玉鹏;王涛;朱新兵 | 申请(专利权)人: | 林州市清华·红旗渠新材料产业化发展中心 |
| 主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司: | 郑州立格知识产权代理有限公司 41126 | 代理人: | 王晖 |
| 地址: | 455130 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 玻璃 基底 石墨 纳米 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
1.玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
A:利用石墨制备得到氧化石墨,制成含氧化石墨2~4 mg/ml的水溶液,经过25min~35min的超声处理,得到稳定分散的氧化石墨烯胶体水溶液;
B:将等体积、等摩尔浓度的柠檬酸钠和硝酸银水溶液混合均匀,再加入一定量的氧化石墨烯胶体溶液和与柠檬酸钠溶液相同体积的N-N二甲基乙酰胺,使用磁力搅拌器于常温下避光反应12h,升温至130℃保持3h,再加入一定量柠檬酸钠或水合肼或氢碘酸或硼氢化钠或抗坏血酸,用氨水调节溶液 pH>10,将温度降至 95℃恒温反应6h,将产物用乙醇离心洗涤,得到银纳米线/石墨烯杂化体固体,配制1~1.5mg/ml的银纳米线/石墨烯杂化体水溶液作为前驱体以备后用,所述的柠檬酸钠水溶液和硝酸银水溶液的浓度均为0.1~0.5M;
C:将玻璃片浸泡在以质量浓度为98%的浓硫酸与质量浓度为30%的双氧水混合溶液中20小时以上,所述混合溶液中的体积比为浓硫酸:双氧水=7:3,在浸泡过程中对玻璃片进行翻面,浸泡完成后使用去离子水对玻璃片进行多次清洗并用氮气吹干,然后置于0.1~0.15mol/L的有机硅烷偶联剂的甲苯或乙醇溶液中浸泡 1~1.5h,取出后用乙醇清洗干净并用氮气吹干,再将表面处理后的玻璃片在100Pa真空以下80~110℃干燥3~4h,处理后需将处理好的玻片保存在真空环境中,并80℃恒温保存;
D:将银纳米线/石墨烯杂化体溶液真空抽滤,然后用水浸湿混纤膜,并把附有石墨烯的一面与玻片紧贴,盖上另一片玻片后,将其放置于约1kg的重物下压制10h以上,取出混纤膜和玻片放入培养皿中,在混纤膜边缘滴加异丙醇至完全浸透,在混纤膜边缘上滴加丙酮至完全溶解直到整个石墨烯膜浸在丙酮中,密闭静置 30min,然后用吸管吸取丙酮,取出玻片低倾斜度放置,再使用乙醇清洗一次,丙酮清洗 3~4 次,平放晾干;
E:在约100Pa真空中300~500℃热处理涂覆有银纳米线/石墨烯杂化体的玻璃片5~15min,随炉冷却至室温,重复热处理5~10次,再将涂覆有银纳米线/石墨烯杂化体的玻璃片置于浓度为10%HNO3溶液中浸泡3h,之后于真空烘箱中烘干,烘干温度维持于30℃,再置于质量浓度为20%SOCl2 溶液浸泡 24h,于30℃真空烘箱中烘干,得到玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤A中石墨为天然鳞片石墨、膨胀石墨、人造石墨粉或可膨胀石墨中的一种或多种的混合物,石墨由Hummers法制备得到氧化石墨。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤B中以银:氧化石墨烯的质量比为1:3来调节加入氧化石墨烯杂化体溶液的量。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤B加入一定量柠檬酸钠或水合肼或氢碘酸或硼氢化钠或抗坏血酸,加入质量为氧化石墨烯质量的10~20倍。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:其中步骤D中真空抽滤采用混合纤维素滤膜或水系微孔滤膜,规格为0.45um。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤C中的有机硅烷偶联剂为3-氨丙基三乙氧基硅烷或γ-缩水甘油醚基丙基三甲基硅烷或甲基三乙氧基硅烷或带有甲基、乙烯基、环氧基或巯基的有机硅烷偶联剂。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤B中银纳米线/石墨烯杂化体前驱体中的银纳米线直径为50~55nm,长度为2~4um,插层在石墨烯片层中。
8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤E中的得到的玻璃基底石墨烯/银纳米线透明导电薄膜的石墨烯层的厚度为80nm至200nm。
9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述的步骤B全过程避光处理。
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