[发明专利]平均电极PN结四极管式热电转换装置在审
| 申请号: | 201510297797.0 | 申请日: | 2015-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN104993043A | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
| 发明(设计)人: | 冯建明 | 申请(专利权)人: | 冯建明 |
| 主分类号: | H01L35/32 | 分类号: | H01L35/32 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 315500 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 平均 电极 pn 结四极管式 热电 转换 装置 | ||
技术领域
本发明是关于热电转换装置的,更具体地说,本发明是关于由两块N型半导体板和两块P型半导体板依次相互接触组成的热电转换装置。
背景技术
目前,市场上尚未见到由两块N型半导体板和两块P型半导体板依次相互接触组成的热电转换装置。
发明内容
本发明的目的是,提供一种结构简单的热电转换装置。
本发明的技术方案是:由两块N型半导体板和两块P型半导体板依次相互接触构成,两块N型半导体板分别是N型半导体板1和N型半导体板3,两块P型半导体板分别是P型半导体板2和P型半导体板4。N型半导体板1和N型半导体板3的形状和大小一样,P型半导体板2和P型半导体板4的形状和大小一样。N型半导体板1和N型半导体板3的材料为同一种N型半导体材料,P型半导体板2和P型半导体板4的材料为同一种P型半导体材料。N型半导体板1的右表面与P型半导体板2的左表面接触在一起,P型半导体板2的右表面与N型半导体板3的左表面接触在一起,N型半导体板3的右表面与P型半导体板4的左表面接触在一起。在N型半导体板1、P型半导体板2、N型半导体板3和P型半导体板4中分别引出一根电极,N型半导体板1的电极和P型半导体板2的电极合并成一根电极8,N型半导体板3的电极和P型半导体板4的电极合并成一根电极9,N型半导体板1、P型半导体板2、N型半导体板3、P型半导体板4中引出的电极和电极8、电极9都用相同的导电材料制成。
下面,对本发明作详细的说明。
N型半导体与P型半导体在处于热源中接触在一起时,在接触面处要发生电子和空穴的扩散,表现在:N型半导体中的电子要向P型半导体中扩散,P型半导体中的空穴要向N型半导体中扩散。本发明中,N型半导体板1的右表面与P型半导体板2的左表面接触在一起,P型半导体板2的右表面与N型半导体板3的左表面接触在一起,N型半导体板3的右表面与P型半导体板4的左表面接触在一起。因此,当本发明中的平均电极PN结四极管式热电转换装置在处于热源中时,存在着以下的电子和空穴的扩散现象:在N型半导体板1的右表面与P型半导体板2的左表面的接触处5,N型半导体板1中的电子要向P型半导体板2中扩散,P型半导体板2中的空穴要向N型半导体板1中扩散;在P型半导体板2的右表面与N型半导体板3的左表面的接触处6,P型半导体板2中的空穴要向N型半导体板3中扩散,N型半导体板3中的电子要向P型半导体板2中扩散;在N型半导体板3的右表面与P型半导体板4的左表面的接触处7,N型半导体板3中的电子要向P型半导体板4中扩散,P型半导体板4中的空穴要向N型半导体板3中扩散。
本发明中的平均电极PN结四极管式热电转换装置中,N型半导体板1只有一个右表面与P型半导体板2的左表面相接触,而N型半导体板3有二个表面、即左表面和右表面分别与P型半导体板2的右表面和P型半导体板4的左表面相接触,P型半导体板4只有一个左表面与N型半导体板3的右表面相接触,而P型半导体板2有二个表面、即左表面和右表面分别与N型半导体板1的右表面和N型半导体板3的左表面相接触。因此,当本发明中的平均电极PN结四极管式热电转换装置在处于热源中时,从N型半导体板3中扩散到P型半导体板2和P型半导体板4中的电子数、即从N型半导体板3中扩散出去的电子数多于从N型半导体板1扩散到P型半导体板2中的电子数、即从N型半导体板1中扩散出去的电子数,从P型半导体板2中扩散到N型半导体板1和N型半导体板3中的空穴数、即从P型半导体板2中扩散出去的空穴数多于从P型半导体板4扩散到N型半导体板3中的空穴数、即从P型半导体板4中扩散出去的空穴数。因此,当本发明中的平均电极PN结四极管式热电转换装置在处于热源中时,N型半导体板3中的电子数少于N型半导体板1中的电子数,N型半导体板3中的空穴数多于N型半导体板1中的空穴数,P型半导体板2中的电子数多于P型半导体板4中的电子数,P型半导体板2中的空穴数少于P型半导体板4中的空穴数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于冯建明,未经冯建明许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510297797.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:挤压电阻及其制造方法
- 下一篇:PbTe-SrTe微晶热电材料的制备方法





