[发明专利]一种基于PFH/n‑SiC有机‑无机异质结构的紫外光电探测器件

权利要求书

1.一种基于PFH/n-SiC有机-无机异质结构的紫外光电探测器件，其特征在于由p型有机蓝光半导体材料聚9，9一二己基芴、n型碳化硅、氧化铟锡(ITO)透明导电玻璃以及金电极组成。

2.根据权利要求1所述的PFH/n-SiC有机-无机异质结构的紫外光电探测器件，其特征在于所述的PFH/n-SiC有机-无机异质结构为p型PFH旋涂在n型SiC薄膜上，制成有机-无机半导体异质结构。

3.根据权利要求1所述的PFH/n-SiC有机-无机异质结构的紫外光电探测器件，其特征在于所述的ITO透明导电玻璃作为制备n型SiC薄膜的衬底，并作为紫外光电探测器件的阴极，在光照下收集电子；所述的金电极则作为阳极。

4.一种基于PFH/n-SiC有机-无机异质结构的紫外光电探测器件的制备方法，其特征在于该制备方法具有如下步骤：

1)ITO衬底预处理：将ITO透明导电玻璃片放入V(HF)∶V(H₂O₂)＝1∶5的溶液中浸泡以去除自然氧化层，然后用丙酮、乙醇和去离子水分别超声清洗，并真空干燥；

2)放置靶材和衬底：把n型SiC靶材放置在射频磁控溅射系统的靶台位置，用挡板遮住步骤1)处理后的ITO衬底一半，将ITO衬底固定在样品托上，放进真空腔；

3)薄膜沉积过程：在磁控溅射系统沉积过程中，先将腔体抽真空，加热ITO衬底，通入氩气，调整真空腔内的压强；其中，SiC靶材与ITO衬底的距离设定为3-6厘米，溅射功率为150-170W，沉积时间为2-6小时；然后将SiC薄膜转移到高温炉中退火4-6小时，退火温度为1200-1400℃；

4)PFH/n-SiC异质结构的制备：先将PFH溶解在氯仿中，制成溶液，然后将配好的溶液旋涂在步骤3)制备好的n型SiC薄膜上，制成有机/无机半导体异质结；

5)器件电极的制备：利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在PFH/n-SiC异质结构上面沉积一层金薄膜作为测量电极。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述的步骤3)中，腔体抽真空后的电离度为1.0×10^-4Pa。

6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于所述的步骤3)中，ITO衬底的加热温度为25-100℃。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述的步骤3)中，真空腔调整后的压强为0.5-6Pa。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述的步骤3)中，SiC靶材与ITO衬底的距离设定为4厘米。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述的步骤3)中，溅射功率为150-170w。

10.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述的步骤3)中，沉积时间为3-5小时。

11.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述的步骤3)中，退火时间为4-6小时，退火温度为1300-1400℃。

12.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于所述的步骤3)中，ITO衬底的加热温度为25℃。

13.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于所述的步骤3)中，真空腔调整后的压强为0.8-1.2Pa。