[发明专利]列翻转模式的液晶显示面板及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 201510297185.1 申请日: 2015-06-02
公开(公告)号: CN104882106B 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 左清成;谢剑星 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G02F1/1362
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 翻转 模式 液晶显示 面板 及其 驱动 方法
【权利要求书】:

1.一种列翻转模式的液晶显示面板,其特征在于,包括多条相互平行并依次排列的竖直的数据线、多条相互平行并依次排列的水平的扫描线、及呈阵列式排布的多个像素,每个像素内均设置像素驱动电路;同一行像素内的多个像素驱动电路均电性连接于对应该行像素的扫描线;分别位于每条数据线左、右两侧的一奇数列像素与一偶数列像素内的多个像素驱动电路均电性连接于该条数据线;

所述像素驱动电路包括:驱动薄膜晶体管(T1)、充电控制薄膜晶体管、存储电容(CST1)、及液晶电容(CLC1);偶数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2)与奇数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2’)的其中之一受高电位的控制而打开,另一个受低电位的控制而打开;

所述偶数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2)与奇数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2’)的栅极均电性连接于时钟信号(CK);所述时钟信号(CK)交替提供高、低电位,控制偶数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2)与奇数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2’)交替打开;

所述列翻转模式的液晶显示面板显示相邻两帧画面时:前一帧画面内,所述扫描线逐行提供时长为第一时长(t1)的扫描信号,所述时钟信号(CK)先提供时长为第二时长(t2)的高电位控制偶数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2)或奇数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2’)打开,与此同时,数据线提供正极性电压,使得偶数列像素内的驱动薄膜晶体管(T1)的源极电压或奇数列像素内的驱动薄膜晶体管(T1)的源极电压为正极性,对偶数列像素或奇数列像素进行充电;之后,所述时钟信号(CK)再提供时长为第三时长(t3)的低电位控制在所述第二时长(t2)内未打开的奇数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2’)或偶数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2)打开,与此同时,数据线提供负极性电压,使得奇数列像素内的驱动薄膜晶体管(T1)的源极电压或偶数列像素内的驱动薄膜晶体管(T1)的源极电压为负极性,对奇数列像素或偶数列像素进行充电;

后一帧画面内,所述扫描线逐行提供时长为第一时长(t1)的扫描信号,所述时钟信号(CK)先提供时长为第三时长(t3)的高电位控制偶数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2)或奇数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2’)打开,与此同时,数据线提供负极性电压,使得偶数列像素内的驱动薄膜晶体管(T1)的源极电压或奇数列像素内的驱动薄膜晶体管(T1)的源极电压为负极性,对偶数列像素或奇数列像素进行充电;之后,所述时钟信号(CK)再提供时长为第二时长(t2)的低电位控制在所述第三时长(t3)内未打开的奇数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2’)或偶数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2)打开,与此同时,数据线提供正极性电压,使得奇数列像素内的驱动薄膜晶体管(T1)的源极电压或偶数列像素内的驱动薄膜晶体管(T1)的源极电压为正极性,对奇数列像素或偶数列像素进行充电;

所述第一时长(t1)为第二时长(t2)与第三时长(t3)的加和。

2.如权利要求1所述的列翻转模式的液晶显示面板,其特征在于,所述第三时长(t3)不等于第二时长(t2)。

3.如权利要求2所述的列翻转模式的液晶显示面板,其特征在于,所述第三时长(t3)大于第二时长(t2)。

4.如权利要求1所述的列翻转模式的液晶显示面板,其特征在于,所述驱动薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于像素所在行对应的扫描线,源极电性连接于充电控制薄膜晶体管的漏极,漏极电性连接于存储电容(CST1)的一端及液晶电容(CLC1)的一端;所述充电控制薄膜晶体管的源极电性连接于像素所在列对应的数据线;所述存储电容(CST1)的另一端及液晶电容(CLC1)的另一端均电性连接于公共电极(VCOM);

所述奇数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2’)为P型薄膜晶体管,所述偶数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2)为N型薄膜晶体管;或所述奇数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2’)为N型薄膜晶体管,所述偶数列像素内的充电控制薄膜晶体管(T2)为P型薄膜晶体管。

5.如权利要求1所述的列翻转模式的液晶显示面板,其特征在于,所述驱动薄膜晶体管(T1)、充电控制薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。

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