[发明专利]光电转换装置和图像拾取系统有效
申请号: | 201510294246.9 | 申请日: | 2015-06-02 |
公开(公告)号: | CN105321968B | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 加藤太朗 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 折射率 光电转换 绝缘层 光电转换装置 高折射率 图像拾取系统 光接收元件 低折射率 光引导 绝缘膜 包围 延伸 | ||
本发明公开了光电转换装置和图像拾取系统,该光电转换装置包括:光接收元件,其中,光接收元件包含:多个光电转换部分;位于所述多个光电转换部分之间的分离部分;以及被包含至少一个绝缘层的绝缘膜包围并且被设置为在所述多个光电转换部分上延伸的光引导部分,并且光引导部分包含:具有比绝缘层的折射率高的折射率的高折射率部分;和具有比绝缘层的折射率高且比高折射率部分的折射率低的折射率的低折射率部分,并且高折射率部分位于所述多个光电转换部分中的每一个上,而低折射率部分位于分离部分上。
技术领域
本公开涉及具有光引导部分的光电转换装置。
背景技术
存在已知的被配置为基于相位差方法通过使用多个光电转换部分执行焦点检测的光电转换装置。单个像素具有多个光电转换部分的配置在图像拾取系统的性能提高(诸如由于传送效率提高而导致的速度增加或者动态范围的变宽以及焦点检测)方面具有许多优点。
日本专利公开No.2009-158800公开了在层间膜中设置包围两个光电二极管的有效光接收区域的间隙的模式。日本专利公开No.2009-158800公开了除了包围两个光电二极管的有效光接收区域的间隙以外在层间膜中设置沿着光电二极管之间的分割线的间隙的模式。
在日本专利公开No.2009-158800的模式中,感度(sensitivity)降低,并且另外,光不能以高的精确程度分布到两个光电二极管。
发明内容
本公开提供一种光电转换装置,该光电转换装置包含:光接收元件,其中,光接收元件包含:多个光电转换部分;位于所述多个光电转换部分之间的分离部分;以及被包含至少一个绝缘层的绝缘膜包围并且被设置为在所述多个光电转换部分上延伸的光引导部分,光引导部分包含:具有比绝缘层的折射率高的折射率的高折射率部分;和具有比绝缘层的折射率高且比高折射率部分的折射率低的折射率的低折射率部分,并且高折射率部分位于所述多个光电转换部分中的每一个上,而低折射率部分位于分离部分上。
从参照附图的示例性实施例的以下描述,本发明的其它特征将变得清楚。
附图说明
图1A~1C是示出光电转换装置的例子的示意图。
图2A和图2B是示出光接收元件的例子的示意图。
图3A~3C是示出光接收元件的例子的示意图。
图4A~4J是示出光接收元件的例子的示意图。
图5A~5S是示出光接收元件的例子的示意图。
图6是示出光电转换装置的例子的示意图。
图7是示出光接收元件的例子的示意图。
图8A~8J是示出光接收元件的例子的示意图。
图9A和图9B是示出图像拾取系统的例子的示意图。
具体实施方式
以下,将参照附图描述本公开的实施例。以下描述的模式仅是一个实施例,并且本公开不限于此。在以下给出的描述和附图中,多个附图共同的配置由共同的附图标记表示。将参照多个附图描述共同的配置,并且根据需要省略由共同的附图标记表示的配置的描述。关于以下将不被描述的项目,可以向其应用适当的技术。
图1A是示意性地示出作为像素放大图像传感器的光电转换装置10的示图。图1A所示的光电转换装置10包含作为被交替链线包围的区域的光接收区域21、和光接收区域21周边的作为交替链线与双虚链线之间的区域的周边区域22。多个光接收元件1以矩阵图案或者以行被布置于光接收区域21中。光接收区域21也可被称为图像拾取区域或像素区域。彼此相邻的光接收元件的中心轴之间的间隔(像素间距)一般不大于10μm,并且优选不大于5.0μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的