[发明专利]纳米线传感器芯片制备方法

权利要求书

1.一种纳米线传感器芯片制备方法，其特征在于，包括：

a、在半导体圆片S1一面制备电极对阵列；

b、在半导体圆片S2上制作与电极对阵列匹配的垂直通孔对及溶液腔；

c、将半导体圆片S1与半导体圆片S2对准、圆片键合，其中，半导体圆片S1上电极部分通过半导体圆片S2垂直通孔暴露，半导体圆片S2溶液腔暴露出半导体圆片S1上电极对一侧；

d、在半导体圆片S2垂直通孔内制造垂直引出电极、在半导体圆片S2表面制备电互连线对，电互连线对依次电连接半导体圆片S2上垂直引出电极；

e、滴纳米线分散液至半导体圆片S2上的溶液腔，通过半导体圆片S2上引出电极施加一定频率的交变电压，利用交变电压产生的介电泳力沉积纳米线后，去除分散液；

f、将半导体圆片S3与S1-S2键合圆片的S2暴露表面键合，图形化，刻蚀半导体圆片S3，在半导体圆片S2上垂直引出电极之上及溶液腔之上的S3圆片区域制作微孔，暴露出半导体圆片S2上的垂直引出电极、形成纳米线传感器与外界接口；

g、对半导体圆片S1、半导体圆片S2、半导体圆片S3进行划片，得到纳米线传感器芯片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a中，半导体圆片S1为硅圆片或玻璃圆片。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a中，电极对为Ti/Au电极，电极为工字型金电极。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤b中，垂直通孔形状为圆柱型或倒圆台型或棱柱型，垂直通孔贯穿半导体圆片S2，半导体圆片S2上垂直通孔对与半导体圆片S1上电极对对准，溶液腔贯穿半导体圆片S2、位于两个垂直通孔之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤b中，半导体圆片S2为玻璃圆片或玻璃圆片，垂直通孔采用激光打孔工艺方法，或喷砂打孔工艺方法，或湿法腐蚀、干法刻蚀工艺方法实现。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤c中，半导体圆片S1与半导体圆片S2通过硅玻璃阳极键合方法键合，或者采用粘接材料键合。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤d中，垂直引出电极为中空圆柱铜电极或实心圆柱铜电极；垂直引出电极采用蒸发、溅射或电化学沉积工艺制作。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤e中，纳米线分散液为CuO纳米线分散液、Si纳米线分散液或碳纳米管分散液。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤f中，半导体圆片S3与S1-S2键合圆片的S2暴露表面采用硅玻璃阳极键合工艺键合，或者采用粘接材料接键合。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤e之后步骤f之前还包括：对纳米线传感器阵列圆片进行生物化学修饰。