[发明专利]一种多晶硅锭的质量判定方法

权利要求书

1.一种多晶硅锭的质量判定方法，其特征是：包括以下操作步骤：

(1)将多晶硅锭开方加工成含多晶硅锭的中部、边部和角部不同分区的多晶硅块；

(2)采用微波光电导衰减少子寿命扫描仪对步骤(1)的多晶硅块进行表面扫描检测；

(3)采集、处理步骤(2)扫描检测所得数据，计算得到硅块少子寿命因子、硅块少子寿命标准差因子、硅块较低少子寿命比例因子和硅块底部较低少子寿命的比例因子；

(4)将步骤(3)得到的各数据因子带入如下计算公式，计算质量分数：

F(X)＝X₁×18％+X₂×20％+X₃×40％+X₄×22％

式中：X₁为硅块少子寿命因子；X₂为硅块少子寿命标准差因子；X₃为硅块较低少子寿命比例因子；X₄为底部较低少子寿命比例因子；

(5)考虑硅锭边缘杂质区域的影响，用步骤(4)计算得出的硅块质量分数F(X)乘以硅块所处多晶硅锭中相应各分区的参数得到最终综合质量分数；

所述各分区的参数为：处于多晶硅锭中部的硅块的分区参数为1；处于多晶硅锭边部硅块的分区参数为0.95-0.97中的任意值；处于多晶硅锭角部硅块的分区参数为0.7-0.81的任意值；

(6)根据步骤(5)最终综合质量分数对硅块质量进行判定分档；

步骤(3)所述硅块少子寿命因子为硅块头部、硅块尾部少子寿命不合格区域和硅块少子寿命有效区域的少子寿命的平均值的倒数×硅块少子寿命有效区域的少子寿命平均值×常数A的乘积，所述常数A为0.1-1；所述少子寿命不合格区域为少子寿命范围为0-3us的区域；

步骤(3)所述硅块少子寿命标准差因子为低于硅块少子寿命有效区域少子寿命平均值的少子寿命的标准差的倒数与一常数B的乘积，所述常数B为10-20；

步骤(3)所述硅块较低少子寿命比例因子为低于硅块少子寿命有效区域少子寿命平均值的少子寿命所占比例的倒数与一常数C的乘积，所述常数C为35-45；

步骤(3)所述硅块底部较低少子寿命的比例因子为较硅块底部100-150mm范围内少子寿命低的少子寿命所占比例的倒数与一常数D的乘积，所述常数D为35-45。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅锭的质量判定方法，其特征是：步骤(2)微波光电导衰减少子寿命扫描仪器的工作参数为：光栅范围2-4mm，敏感度50-100mV，探头高度1.5-2.5mm，微波频率依据Auto setting取值或固定频率大于10.2GHz。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅锭的质量判定方法，其特征是：步骤(6)所述判定依据为：最终综合质量分数≥0.9的硅块质量判定为A级；最终综合质量分数≥0.8且＜0.9的硅块质量判定为B级；最终综合质量分数≥0.75且小于0.8的硅块质量判定为C级；最终综合质量分数＜0.75的硅块质量判定为D级。