[发明专利]晶片的加工方法

说明书

本发明提供晶片的加工方法，使安装在已通过所谓的预先划片法分割为一个个半导体器件的半导体晶片的背面的用于芯片结合的粘合膜沿一个个分割的半导体器件断裂，并能够防止断裂时细微破碎的粘合膜直接附着于半导体器件的表面。该方法对在晶片的表面格子状地形成有多条分割预定线并在通过多条分割预定线而划分的各区域中形成有器件的晶片进行加工，包含：分割槽形成工序，从晶片的表面侧沿分割预定线形成深度相当于器件芯片的最终厚度的分割槽；背面磨削工序，对晶片的背面进行磨削使分割槽显出于背面，将晶片分割为一个个器件芯片；在晶片的背面安装粘合膜并对粘合膜粘贴划片带的工序；粘合膜断裂工序，扩展划片带使粘合膜沿一个个器件芯片断裂。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，在该晶片的表面上通过形成为格子状的间隔道而划分的多个区域中形成有器件，将该晶片沿间隔道分割为一个个器件芯片，并且将用于芯片结合(die bonding)的粘合膜安装于各器件芯片的背面。

背景技术

例如，在半导体器件制造工艺中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面上通过形成为格子状的分割预定线而划分的多个区域内形成有IC、LSI等器件，通过将该形成有器件的各区域沿间隔道进行分割来制造一个个半导体器件。作为对半导体晶片进行分割的分割装置一般使用划片(Dicing)装置，该划片装置通过厚度为20～30μm左右的切削刀具将半导体晶片沿间隔道进行切削。这样分割而成的半导体器件芯片被封装并广泛利用于移动电话或者个人计算机等电子设备。

作为将半导体晶片分割为一个个器件芯片的方法，实用化一种被称为所谓的预先划片法的分割技术。该预先划片法是如下的技术：从半导体晶片的表面沿间隔道形成规定的深度(相当于半导体器件芯片的最终厚度的深度)的切削槽，此后，对在表面上形成有切削槽的半导体晶片的背面进行磨削，使切削槽在该背面显出从而分割为一个个半导体器件芯片，通过该预先划片法能够将半导体器件芯片的厚度加工为50μm以下。(例如，参照专利文献1。)

在一个个地分割而成的半导体器件芯片的背面上安装有由聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂、丙烯酸系树脂等形成的厚度20～40μm的被称为粘片膜(DAF)的用于芯片结合的粘合膜，通过对经由该粘合膜而支承半导体器件芯片的芯片结合框架进行加热焊接从而实现结合。

但是，由于无法在将用于芯片结合的粘合膜安装于半导体晶片的背面的状态下通过上述的所谓的预先划片法与半导体器件一同进行分割，因此提出了如下技术：将用于芯片结合的粘合膜安装于已通过所谓的预先划片法分割为一个个半导体器件芯片的半导体晶片的背面，并且将粘合膜侧粘贴于划片带，对该划片带进行扩展从而使粘合膜沿已被一个个地分割的半导体器件芯片断裂(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2003-7648号公报

专利文献2：日本特开2008-235650号公报

但是，如果将粘合膜安装于已被分割为一个个器件芯片的晶片的背面并且粘贴划片带，对该划片带进行扩展从而使粘合膜沿一个个器件芯片断裂，则存在如下问题：由于粘合膜形成为比晶片稍大，因此粘合膜的外周部会细微破碎而飞散而附着于器件的表面。

如果细微破碎了的粘合膜附着于显出在半导体器件的表面的电极，则存在如下问题：会对引线接合造成妨碍，会引起导通不良而使器件的品质降低。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要技术课题是提供一种晶片的加工方法，使安装在通过所谓的预先划片法(Dicing Before Grinding)而被分割为一个个半导体器件芯片的半导体晶片的背面的用于芯片结合的粘合膜沿已被一个个地分割的半导体器件芯片断裂，并且能够防止断裂时细微破碎的粘合膜直接附着于半导体器件的表面。