[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及处理基板的基板处理装置。

背景技术

存在处理基板的两个面中的双方的基板处理装置。在专利文献1中，记载了在基板W1的一个面W1a和另一个面W1b形成膜的成膜装置。该成膜装置具备第一成膜部E1、第二成膜部E2和支架旋转部E3。当在第一成膜部E1中在基板W1的一个面W1a形成第一被膜F1后，基板W1从第一成膜部E1被取出并移动至支架旋转部E3。在支架旋转部E3中，保持基板W1的支架载置部件41旋转180度。旋转后的基板W1返回第一成膜部E1，在第一成膜部E1中，在基板W1的另一个面W1b形成第一被膜F1。然后，基板W1经由支架旋转部E3移动至第二成膜部E2，在第二成膜部E2中，在基板W1的另一个面W1b，与第一被膜F1重叠地形成第二被膜F2。然后，基板W1从第二成膜部E2被取出并移动至支架旋转部E3，在支架旋转部E3中，保持基板W1的支架载置部件41旋转180度。旋转后的基板W1返回第二成膜部E2，在第二成膜部E2中，在基板W1的一个面W1a的第一被膜F1上重叠地形成第二被膜F2。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014－28999号公报

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1记载的成膜装置中，将在第一成膜部E1(或第二成膜部E2)中在一个面W1a形成了膜的基板从第一成膜部E1(或第二成膜部E2)取出并使其旋转，之后返回第一成膜部E1(或第二成膜部E2)，并在该基板的另一个面W1b形成膜。因此，由于基板的移动、旋转、移动的这种操作而阻碍了生产效率的提高。另外，在专利文献1记载的成膜装置中，当在基板W1的一个面W1a或另一个面W1b上与第一被膜F1重叠地形成第二被膜F2的情况下，需要第一成膜部E1和第二成膜部E2，因此，成膜装置的设置面积可能变大，另外，在专利文献1记载的成膜装置中，在同时进行针对一个基板W1的一个面W1a和另一个基板W2的一个面W2a的膜的形成的情况下，使用两个成膜部E1、E2来进行，因此，成膜装置的设置面积可能变大。

本发明的目的在于提供一种有利于生产效率的提高和设置面积的缩小的基板处理装置。

用于解决课题的手段

本发明的第一技术方案涉及基板处理装置，该基板处理装置具备：处理部，该处理部处理基板的第一面和第二面；温度调整部，该温度调整部调整所述基板的温度；驱动部，该驱动部使所述温度调整部移动；和输送部，该输送部输送所述基板，由所述处理部进行的所述基板的所述第一面的处理在第一配置中进行，所述第一配置是所述基板配置在第一位置并且所述温度调整部配置在所述基板的所述第二面的一侧的配置方式，由所述处理部进行的所述基板的所述第二面的处理在第二配置中进行，所述第二配置是所述基板配置在第二位置并且所述温度调整部配置在所述基板的所述第一面的一侧的配置方式，为了当在所述第一配置中所述第一面被处理之后在所述第二配置中处理所述第二面，所述输送部将所述基板从所述第一位置沿着输送路径输送至所述第二位置，在所述输送部将所述基板从所述第一位置输送至所述第二位置时，所述驱动部使所述温度调整部从所述输送路径临时地退避。

本发明的第二技术方案涉及基板处理装置，该基板处理装置具备：处理部，该处理部处理基板的第一面和第二面；和温度调整部，该温度调整部调整所述基板的温度，所述基板包含第一基板和第二基板，由所述处理部进行的所述第一基板的所述第一面的处理在第一配置中进行，所述第一配置是所述第一基板配置在第一位置并且所述温度调整部配置在所述第一基板的所述第二面的一侧的配置方式，由所述处理部进行的所述第一基板的所述第二面的处理和所述第二基板的所述第一面的处理在第二配置中进行，所述第二配置是所述第一基板配置在第二位置、所述第二基板配置在所述第一位置、并且所述温度调整部配置在所述第一基板和所述第二基板之间的配置方式。

发明的效果

根据本发明，提供了一种有利于生产效率的提高和设置面积的缩小的基板处理装置。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。

图2是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。

图3是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图4是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图5是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。