[发明专利]一种采用平行电场式光电芯片的细胞分离新方法

权利要求书

1.一种采用平行电场式光电芯片的细胞分离新方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：制备平行电场式光电芯片；

采用等离子体增强化学气相沉淀工艺在氧化铟锡玻璃表面镀上1μm厚度的氢化非晶硅薄膜；然后在氢化非晶硅薄膜表面，采用反应离子和化学湿法刻蚀工艺刻蚀深度为10μm，宽度为30μm的微沟槽，获得平行电场式光电芯片；

步骤二：搭建平行电场式光电芯片的细胞分离平台；

在平行电场式光电芯片左、右连接信号发生器；通过可编程光源产生的三角阵列光斑照射到微沟槽左、右两侧氢化非晶硅薄膜上；微沟槽内通过流动的生物细胞；

步骤三：调节信号发生器频率，通过产生的光诱导介电泳力，实现细胞的分离。

2.根据权利要求1所述的一种采用平行电场式光电芯片的细胞分离新方法，其特征在于，步骤二中产生三角阵列光斑通过数字微全镜，产生的三角光斑顶角为40°，高为15μm，间距为9μm。

3.根据权利要求1或2所述的一种采用平行电场式光电芯片的细胞分离新方法，其特征在于，步骤二中流入微沟槽内的细胞流动速度为168μm/s。