[发明专利]一种OLED器件及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201510280602.1 | 申请日: | 2015-05-27 |
公开(公告)号: | CN104993066B | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 裴凤巍;赵子仪;张金中;权宁浩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 及其 制备 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED器件及其制备方法、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示器是一种自发光显示器,与LCD(liquid crystal display,液晶显示器)相比,OLED显示器不需要背光灯,因此OLED显示器更为轻薄,此外OLED显示器还具有高亮度、低功耗、宽视角、高响应速度、宽使用温度范围等优点而越来越多地被应用于各种高性能显示领域当中。
OLED器件的发光机理是在外加电场的作用下,电子和空穴分别从正负两极注入有机发光材料,从而在该有机发光材料中进行迁移、复合并衰减而发光。由于有机发光材料的电子亲和势比金属或无机材料的电子亲和势要小得多,因此,为了有效地向有机发光材料中注入电子,阴极材料的功函数必须足够低。目前,通常用低功函数的金属或金属合金作为OLED器件的阴极。
然而,现有技术中,当采用金属或金属合金作为OLED器件的阴极材料时,一方面、金属或金属合金在大气环境中容易变质,从而会降低了OLED器件的质量。另一方面、金属或金属合金的成本较高。
发明内容
本发明的实施例提供一种OLED器件及其制备方法、显示装置,能够提高OLED器件中阴极的稳定性,并降低OLED器件的成本。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例的一方面,提供一种OLED器件,包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的功能层,所述阴极主要由有机金属层构成,所述有机金属层的功函数为2.9eV~3.7eV。
本发明实施例的另一方面,提供一种显示装置,包括如上所述的任意一种OLED器件。
本发明实施例的又一方面,提供一种OLED器件的制备方法包括:
在透明基板上,通过构图工艺形成阴极,其中所述阴极主要由有机金属层构成,所述有机金属层的功函数为2.9eV~3.7eV。
本发明实施例提供一种OLED器件及其制备方法、显示装置,所述OLED器件可以包括阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的功能层。其中,阴极主要由有机金属层构成,该有机金属层的功函数为2.9eV~3.7eV。这样一来,一方面、当OLED器件为顶发射型时,相对于采用金属单质或合金构成的阴极,采用透射率较高的有机金属层作为阴极,可以提高OLED器件的发光效率;另一方面、OLED器件的发光原理,是通过将电子和空穴分别从阴极和阳极注入,并在功能层中复合产生激子而辐射发光,由于构成功能层的有机材料的电子亲和势很小,因此,当有机金属层的功函数在2.9eV~3.7eV之间,该有机金属层构成的阴极的功函数较低,从而有利于提高电子的传输性能,使得OLED器件在发光的过程中,电子能够更有效的注入至功能层中。又一方面,由于有机金属层相对于金属单质或合金而言,成本较低,且化学性质较稳定。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种OLED器件的结构示意图;
图2为对图1所示的OLED器件中的功能层12进行细化后的OLED器件的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的另一种OLED器件的结构示意图
图4为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的一种OLED器件的制备过程流程图;
图6为本发明实施例提供的另一种OLED器件的制备过程流程图。
附图标记:
01-透明基板;10-阳极;101-透明导电层;102-阳极金属层;11-阴极;110-有机金属层;12-功能层;120-发光层;130-电子传输层;131-电子注入层;140-空穴传输层;141-空穴注入层;20-平坦层;21-电子阻挡层;30-薄膜晶体管;301-漏极;302-栅极;303-栅绝缘层;304-半导体有源层;305-源极。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择