[发明专利]纳米结构材料方法和装置有效
| 申请号: | 201510280512.2 | 申请日: | 2015-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN105280832B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
| 发明(设计)人: | B·T·坎宁安;G·G·西伊;P·特雷福纳斯三世;J·K·朴;K·德什潘德;J·J·张;J·朱 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限公司;伊利诺斯州立大学托管会 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋;江磊 |
| 地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米 结构 材料 方法 装置 | ||
1.一种发光装置,其包含:
结构,所述结构包含:
具有第一表面和第二表面的衬底;
安置在所述衬底的第一表面上的聚合层,所述聚合层包含聚合物和多个发光纳米晶体;所述聚合层具有图案化表面,所述图案化表面具有具有第一多个凹部的图案化第一区和具有第二多个凹部的图案化第二区,
其中每一区域中的所述多个凹部具有在第一方向上的第一周期性,和在与所述第一方向相交的第二方向上的第二周期性,其中所述第一区的所述第一周期性不同于所述第二区的所述第一周期性,
具有比所述聚合层更高的折射率的材料层安置在所述聚合层的所述图案化表面上;和
被安排成提供光到所述衬底的所述第二表面的光源,
所述光源包括UV光源。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一区的所述第二周期性与所述第二区的所述第二周期性相同。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述聚合层包含多个第一区和多个第二区。
4.根据权利要求3所述的发光装置,其中所述第一和第二区呈彼此交替关系。
5.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述发光纳米晶体包含一或多个异质结。
6.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述发光纳米晶体包含量子点。
7.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述衬底为光学透明的。
8.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第二方向与所述第一方向以65°到115°的角度相交。
9.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第二方向实质上正交于所述第一方向。
10.一种形成发光系统的方法,其包含形成根据权利要求1所述的发光装置。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述聚合层包含多个第一区和多个第二区。
12.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一周期性可操作以沿定义方向出耦光发射。
13.根据权利要求1所述的发光装置,其中所述第一周期性可操作以沿垂直于所述衬底的所述第一表面的方向出耦光发射。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限公司;伊利诺斯州立大学托管会,未经陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限公司;伊利诺斯州立大学托管会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





