[发明专利]触控驱动电路及其驱动方法、阵列基板及触控显示装置

权利要求书

1.一种触控驱动电路，设置在阵列基板上，其特征在于，包括相互级联的多个移位寄存单元，还包括多个输出控制单元，每级的移位寄存单元的输出端均通过一个所述输出控制单元连接到一个触控驱动电极，每个触控驱动电极包括一个或多个公共电极；

所述输出控制单元接收触控使能信号、公共电压信号、触控扫描信号，以及与所述输出控制单元相连的所述移位寄存单元的输出信号，并在所述触控使能信号和所述输出信号的控制下，在第一时间段内向与该输出控制单元相连的触控驱动电极输出所述触控扫描信号，所述第一时间段为一帧时间内分配给所述触控驱动电极的扫描时间；

其中，第m级移位寄存单元包括：

第一场效应晶体管，其栅极连接第m-1级移位寄存单元的输出端，其源极接收正扫控制信号；

第二场效应晶体管，其栅极连接第m+1级移位寄存单元的输出端，其源极接收反扫控制信号；

第三场效应晶体管，其栅极分别连接所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的漏极，其漏极连接第m级移位寄存单元的输出端，对于奇数级的移位寄存单元，其源极接收第一时钟信号，对于偶数级的移位寄存单元，其源极接收第二时钟信号；

第一时钟信号和第二时钟信号相位相反；

第二电容，其第一端连接所述第三场效应晶体管的栅极，其第二端连接所述第三场效应晶体管的漏极；

第七场效应晶体管，对于奇数级的移位寄存单元，其栅极和源极同时接收第二时钟信号，对于偶数级的移位寄存单元，其栅极和源极同时接收第一时钟信号；

第四场效应晶体管，其栅极连接所述第七场效应晶体管的漏极，其源极接收电源信号,其漏极连接本级移位寄存单元的输出端；

第五场效应晶体管，其栅极连接所述第七场效应晶体管的漏极，其源极接收所述电源信号，其漏极连接所述第三场效应晶体管的栅极；

m为大于1的自然数。

2.根据权利要求1所述的触控驱动电路，其特征在于，第m级移位寄存单元还包括：

第一电容，其第一端连接所述第七场效应晶体管的漏极，其第二端接收所述电源信号；

第六场效应晶体管，其栅极连接所述第三场效应晶体管的漏极，其源极接收所述电源信号，其漏极连接所述第一电容的第一端；

第八场效应晶体管，其栅极连接所述第一电容的第一端，其源极接收所述电源信号，其漏极连接第m级移位寄存单元的输出端。

3.根据权利要求1所述的触控驱动电路，其特征在于，所述输出控制单元包括：

第九场效应晶体管，其栅极接收与所述输出控制单元连接的移位寄存单元的输出信号，其源极接收所述触控使能信号；

第十二场效应晶体管，其栅极连接所述第九场效应晶体管的漏极，其源极接收所述触控扫描信号，其漏极连接到所述输出控制单元的输出端；

第十一场效应晶体管，其栅极连接所述第九场效应晶体管的漏极，其源极接收所述电源信号；

第十三场效应晶体管，其栅极连接所述第十一场效应晶体管的漏极，其源极接收所述公共电压信号，其漏极连接到所述输出控制单元的输出端；

第十四场效应晶体管，其栅极连接所述第十一场效应晶体管的漏极，其源极连接所述电源信号，其漏极连接所述第十二场效应晶体管的栅极；

第十场效应晶体管，其漏极连接所述第十三场效应晶体管的栅极，对于奇数级的输出控制单元，其栅极和源极同时接收所述第二时钟信号，对于偶数级的输出控制单元，其栅极和源极同时接收所述第一时钟信号。

4.根据权利要求3所述的触控驱动电路，其特征在于，所述输出控制单元还包括：

第十六场效应晶体管，其栅极和源极接收公共电压使能信号，其漏极连接所述第十三场效应晶体管的栅极；

第三电容，其第一端连接所述第十一场效应晶体管的漏极，第二端接收所述电源信号。

5.根据权利要求1-4任一项所述的触控驱动电路，其特征在于，所述场效应晶体管为N型或P型MOS管；

所述场效应晶体管为N型MOS管时，所述电源信号为低电平信号；

所述场效应晶体管为P型MOS管时，所述电源信号为高电平信号。